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静电感应器件的研制

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静电感应器件(Static Induction Device-SID)是一类新型的电力电子器件，主要包括双极型静电感应晶体管(BSlT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SITH)三类器件，具有其它半导体器件无法比拟的一系列优点，如控制功率大、工作频率高、电流容量大、耐高压、功耗小、噪声低、抗辐射能力强、开通关断全可控等，在很多领域得到了广泛的应用。本论文的研究工作是结合兰州市科技攻关项目“电力静电感应器件的研制”而展开的。 系统地阐述了SIT、SITH的作用理论、结构、I-V特性、电流传输机制及沟道势垒的形成及关键制造工艺。在此基础上，结合器件制造的特点，对器件的相关制造参数进行了讨论分析，根据以前的实验数据和经验，设计了新的版图。 实验以制备电性能优良的SID为出发点，结合SITH制作的经验和存在的问题，通过大量的实验，对部分工艺条件进行了调整。 为了获得具有高的Vgs/Vgk和良好的I-V特性的器件，我们做了大量的实验。通过对试制管芯的测试，基本电性能有了明显的改善，说明了我们的制作方案是合理的、可行的。 从SITH的作用机理和结构特点出发，考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命(特别是少子空穴寿命)的变化、电导调制效应等，结合实验观测，对其正向阻断态I-V特性进行了物理分析。

魏万印

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物理分析 阻断 实验观测 电导调制效应 空穴 少子 双注入效应 寿命 结构特点 作用机理 制作方案 测试 管芯 试制 获得 工艺条件 SID 电性能 制备 版图

硕士

电子科学与技术 微电子学与固体电子学

刘肃

2008

兰州大学

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