摘要
高功率980nm单模脊形量子阱半导体激光器作为光纤放大器和一些固体激光器的泵浦源，以及在通讯、军事和医疗等方面的广阔应用前景，成为目前产业化的热点和焦点而受到高度重视。本论文首先综述了高功率、高光束质量980nm半导体激光器(LD)的应用前景及发展概况，综合并分析了其主要研究内容及关键技术，进而对量子阱激光器进行了的优化设计，对980nm脊形量子阱LD材料的MBE生长进行了大量的实验，采用大光腔结构，成功地获得了最大斜率效率为0.8W/A。远场水平发散角为6.9°，垂直发散角为28°。单模980nm脊形量子阱半导体激光器，器件在3.5μm条宽，800μm腔长时，室温下，阈值电流为19mA，基横模输出功率大于140mW。
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