摘要
近些年来，随着我国经济的持续快速发展，能源消耗日趋紧张，特别是电力消耗日趋加大。因此，大力发展新型电力电子器件就成为一项重要课题。绝缘栅双极晶体管（Insulate Gate BipolarTransistor，IGBT）作为新型电力电子器件是性能提高和节能的首选产品[6]。 Trench IGBT与平面IGBT相比有电流密度大，抗闩锁能力强等诸多优点。虽然平面IGBT现已有公司量产，但目前国内Trench IGBT尚处于研发阶段，又鲜有Trench IGBT设计与指导方面的文章，而这种器件又被国外产品垄断着市场，所以本文的研究将填补国内此类器件设计领域的空白，也对器件的生产与改良起到建设性指导作用。 仿真软件的目的最大程度的模拟真实发生的情况。利用仿真软件做产品初期的设计是必不可少的。一方面仿真软件不断更新，越来越成熟，仿真结果越来越具有参考价值；另一方面利用仿真软件具有诸多优势：可以避免流程设计上所犯的低级错误，检验设计合理性，加快研发速度，节约流片成本。本文正是使用了优秀的模拟仿真软件ISE-TCAD实现了从工艺流程到电学特性的全方位仿真。 本论文第一章介绍了功率器件的现状及概况，在此基础上介绍了IGBT器件的应用前景。 第二章介绍了IGBT的基本原理，由于IGBT是MOS和BJT共同组成的器件，所以此章主要从MOS和BJT原理出发进行阐述与IGBT有关的特性。 第三章以首先介绍了与此产品关系最密切的工艺-Trench刻蚀工艺，然后以600V Trench IGBT为例进行结构参数的全面设计。 第四章先是对仿真软件有个概要的介绍，之后应用仿真软件进行工艺流程上的仿真，再进行器件物理特性的仿真，最后再将仿真结果与实际器件的测试结果比较分析。
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