摘要
二硫化钼(MoS2)作为典型的过渡金属层状二元化合物，其热稳定性和化学稳定性良好，被广泛应用于固体润滑剂、电极材料和反应催化剂等领域。同时，作为类石墨烯单层过渡金属化合物，单层MoS2凭借其优秀的光学和电学性质在辅助石墨烯甚至替代石墨烯上有着很好的前景，在晶体管制造和电子探针的应用等方面也为人关注，而多层二硫化钼在光学传感器上的应用也逐渐为人们所探索。本文对于体材料、单层及多层二硫化钼的电子能带结构及光学性质进行了研究。 1、在能带结构计算的基础上，计算出了单层和体材料MoS2的介电函数虚部及实部，并将计算结果与已有的实验结果进行了比较，符合良好。同时指出了体材料及单层MoS2介电函数图像中各峰值与对应的能带带间跃迁之间的关系。 2、对于多层MoS2的结构进行了优化，将单层至多层及体材料MoS2的能带结构进行了比较，分析其带隙差异。计算了多层MoS2的介电函数并加以对比分析。 3、根据洛伦兹色散理论，各项光学系数会随着入射光频率的变化而变化。根据介电函数导出了体材料、单层及多层MoS2的能量损失谱1、吸收系数α(ω)、折射率n(ω)、反射率R(ω)以及消光系数κ(ω)等光学系数并加以比较和分析。
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