摘要
第三次工业大革命以后，电子半导体技术有了飞快的发展，具备灵活、轻便、成本低廉、易于集成等特点的光电探测变得越来越受欢迎，而这些技术的进步离不开其背后的决定性因素：纳米材料的制备。与晶体材料相比，纳米材料具有肉眼不可见的微观形貌，根据微观结构的不同可以被分为零维、一维、二维、三维，每种维度都有它独一无二的特性，对应于不同的应用场所。与此同时，实现晶体材料纳米化的制备技术，也为纳米材料在电子器件等方面的应用打开了一扇新的大门。晶体材料被纳米化之后，性能往往会发生意想不到的变化，如表面积的增大，电子迁移率的提高，带隙的转变等，这些变化对器件的性能都有着至关重要的影响，如石墨烯被成功剥离后，发现其载流子迁移率达到了106m/s，是光速的1/300；单层光吸收率为2.3%，反射光不到0.1%，透射光达到97.7%，这些优异的光电性能使得其在电池、电容、光催化、光探测等领域就有着重要的应用。近十几年来，很多研究者都致力于构造纳米材料的微观结构，在原来的基础上实现了很多新的突破，其中复合材料不仅能结合不同材料的优势，还能结合不同纳米结构的优势，这对纳米材料的应用是一个很好的思路。本学位论文研究了V2O5纳米线和MoSe2纳米花的光电探测性能，并在此基础之上分别对这两种材料进行了复合，与复合之前的结果相比，性能上都有了一定的提高，具体内容如下： 1.制备V2O5纳米线和MoSe2纳米花，分别测试光电探测性能； 2.对上述测试结果进行分析，确定使用石墨烯与V2O5纳米线进行复合，使用WSe2纳米片与MoSe2纳米花进行复合； 3.制备石墨烯与WSe2纳米片，制备复合结构； 4.测试复合结构，经分析后得出，V2O5纳米线与GO的复合结构的光电流比复合前提高了十倍以上，但是响应时间有所延迟；MoSe2纳米与WSe2纳米片复合结构的光电流和响应时间都有所提升。 最后，对本论文的研究结果进行了总结，分析了实验的不足之处和改进方法，希望对他人在此的相关研究有所帮助。
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