摘要
氧化锌(ZnO)具有无毒、廉价、易制备、高催化活性等优点,在许多领域-特别是光催化领域-都有重要应用。在光催化方面,ZnO本身的一些特点,如带隙较宽、可见光响应差、光生电荷复合率高、不耐光腐蚀等,往往导致其光催化效果不佳。因此,对ZnO开展光催化性能的优化一直是人们的研究热点。能够调控ZnO光催化性能的因素有很多,其中微观形貌控制和离子掺杂的效果尤为明显。基于此,本文以ZnO为主体材料,从形貌控制和离子掺杂两个方面开展了系统的探索,着重研究了ZnO一维微纳米结构在衬底上的构筑及其用于光电化学分解水的光,催化性质,对ZnO液相化学生长的形貌控制机制和离子掺杂性能优化机制展开了讨论。具体工作如下: (1)In3+对ZnO生长形貌的影响及ZnO的光催化性质研究。利用水热法在涂有晶种层的氟掺杂氧化锡衬底上生长了以In3+为形貌控制剂的ZnO样品,研究了反应条件(反应时间、反应温度、热处理温度)和反应物的用量(Zn(NO3)2的浓度、六次甲基四胺的浓度、聚乙烯亚胺的浓度、In3+的加入量)和其它条件(晶种层)对ZnO的形貌结构的影响,对其生长机理进行了深入的探讨。研究发现,当反应温度为100℃、Zn2+浓度为0.1M、Zn2+与聚乙烯亚胺的摩尔比为1:0.1时,所制备的ZnO具有最好的的光催化性能,其光电化学分解水的光电流密度可达0.7mA/cm2(1.23Vvs.RHE)。 (2)采用水热法在涂有晶种层的氟掺杂氧化锡衬底上成功合成了纯ZnO和Y掺杂ZnO纳米棒阵列,系统地研究了Y的掺杂量、水热反应时间、水热反应温度以及热处理温度对ZnO形貌结构和光电化学分解水性能的影响。研究发现Y的掺杂可以有效提高材料的光催化性能。研究结果表明,当前驱体中Y掺杂量为6%、反应时间为5h、反应温度为95℃、热处理温度为400℃时,材料的光电流密度达到最大值,光电流密度为0.85mA/cm2(1.23Vvs.RHE),约为纯ZnO的2.8倍。在370nm处实现73%的入射光子-电流转换效率(IPCE),是原始ZnO的1.9倍。 (3)通过在前驱液中加入F,采用水热法在氟掺杂氧化锡衬底上生长了氟掺杂的ZnO纳米棒阵列。探究了前驱体溶液中F的掺杂量、水热反应时间、水热反应温度以及热处理温度对ZnO材料光催化性能的影响,优化了反应条件,并进行了光催化的相关测试,提出了F掺杂对提升ZnO材料光催化性能的原因。结果表明当前驱体中F掺杂量为6%、反应时间为3h、反应温度为95℃、热处理温度为450℃时,材料的光催化性能最优,光电流密度为0.79mA/cm2(1.23Vvs.RHE),约为纯ZnO的2.6倍。入射光子-电流测试结果表明,F掺杂的ZnO在330nm处IPCE高达75%,是原始ZnO的2倍以上。