摘要
射频前端的放大电路和分频电路逐渐向高速、高集成、低功耗、低成本等方向发展，针对当前的需求，本论文主要工作有： 1.设计了一款基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的X波段低噪声放大器：基于射频二端口网络的噪声原理，对最小噪声系数阻抗进行提取；设计片上大Q值电感，使放大器具有噪声系数低和相对带宽大等优点；最终设计版图并加工测试，该芯片的实测结果满足设计指标。 2.设计了一款双频滤波功率放大器：研究设计三段式双频匹配结构作为双频带滤波功率放大器的输入匹配；研究设计SIW双腔双频滤波器作为功放的双频输出匹配网络；优化调节滤波器在两个频率的输入阻抗至功放的最佳负载阻抗；最终设计版图并加工测试分析。 3.设计了一款基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的宽带注入锁定二分频器：阐述差分结构的双极点模型在环形注入锁定器中的应用；完成宽带注入锁定二分频器的带宽影响因素与设计；最终设计版图并加工测试，该芯片的测试结果基本满足设计指标。 4.设计了一款基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的8/9双模预分频器：详细阐述CML锁存器结构的工作原理，并根据其原理设计D触发器；设计完成了4/5双模分频器、异步二分频器以及8/9双模预分频器整体电路的设计；最终设计版图并加工测试，该芯片的测试结果基本满足设计指标。
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