摘要
党的二十大明确指出，“坚决打赢关键核心技术攻坚战，以高水平科技自立自强推动经济社会发展。”由此可见，突破关键核心技术已成为创新驱动发展战略的当务之急。我国光刻技术历经五十余年的发展与创新，其在验证摩尔定律正确性的基础上，也不断引领集成电路产业及芯片行业的进步。但在全球范围内，我国光刻领域仍处于落后状态，对中国集成电路产业进步形成了阻碍。因此，我国光刻技术难题亟待破解，尤其在“卡脖子”的背景下，利用专利计量的方法对中国光刻技术创新战略进行设计和实施研究具有重要的现实意义。 创新战略的相关研究，在此基础上对光刻技术的全球发展概况及我国的发展现状进行了分析，并论证了我国设计技术创新战略的必要性。基于创新价值链理论，对中国光刻技术创新战略影响因素进行了分析，从研发能力、人才结构、创新主体特征、创新外部环境四个方面识别了中国光刻技术创新战略的影响因素。根据系统性和科学性原则，建立了光刻技术创新战略影响因素的指标体系，并利用灰色关联法，对中国光刻技术创新战略的影响因素进行了评估。基于光刻技术发展现状，利用创新价值链理论，确定了跨越式技术创新的战略定位，明确了光刻技术创新战略的目标，设计了基于产学研合作的技术研发战略与基于政府主导的研发企业孵化衍生战略，二者共同构成了光刻技术创新战略。最后，基于光刻技术创新战略提出了对应的实施策略，并从政策、投入、人才和产业四个方面给出了保障策略。本文进行的中国光刻技术创新战略设计与实施研究，为光刻技术的创新突破及我国光刻技术领域的发展提供决策和理论支持，这对于深入推进我国创新驱动发展战略，突破“卡脖子”困境，具有重大的理论指导作用。本文首先回顾了关键核心技术理论、基于专利计量的技术竞争态势及技术.
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