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期刊信息/Journal information
光电子·激光
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巴恩旭

月刊

1005-0086

baenxu@public.tpt.tj.cn；　baenxu@263.net

022-23679707

300191

天津市南开区红旗南路263号

光电子·激光/Journal Journal of Optoelectronics·LaserCSCD北大核心CSTPCDEI
查看更多>>本刊为专业技术性刊物。报道光电子、激光技术领域的研究成果，内容包括新型光电子器件、装置和材料、光电控制和检测、光存贮和光电信息处理、通讯和光纤应用技术光电集成技术、光计算和光学神经网络、激光加工和激光应用、光电生物医学等方面。
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    基于改进分段CRC码校验模式的极化码EPre-Fast-SCL译码算法

    袁建国翟少秋贺京杰张丰果...
    87-92页
    查看更多>>摘要：针对极化码预快速串行抵消列表(prefast successive cancellation list,PreFast-SCL)译码算法没有设置早期停止策略导致复杂度较高的问题,提出一种改进的分段循环冗余校验(cyclic redun-dancy check,CRC)码校验模式,进而结合该改进的校验模式提出一种增强的PreFast-SCL(en-hanced PreFast-SCL,EPreFast-SCL)译码算法.该算法在编码时将信息序列进行分段并在每段信息序列尾部加入可以校验该段信息序列的CRC码,最后一段CRC码用来校验整个信息序列,当其中的某段信息序列未通过校验时,及时终止并剔除错误路径.仿真结果表明,所提出的EPreFast-SCL译码算法相对于循环冗余校验码辅助SCL(CRC aided SCL,CA-SCL)译码算法以及PreFast-SCL译码算法在一定程度上提升了译码性能且具有较低的译码复杂度.

    极化码预快速串行抵消列表分段循环冗余校验

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    激光去除AH32钢漆层的数值模拟及实验研究

    张鑫王涛冯伟峰顾志同...
    93-99页
    查看更多>>摘要：采用有限元模拟软件建立激光去除AH32钢表面环氧树脂漆层的数值模型,并在其表面加载脉冲激光清洗过程.探究了不同激光参数对激光去除AH32船用钢表面漆层的温度场影响.模拟结果表明,漆层表面最高温度随光斑中心的移动而变化,其扫描轨迹呈彗星状;漆层表面最高温度随光斑直径和扫描速度的增大而减小,随激光重复频率和激光功率的增大而增大,并通过实物清洗实验验证此规律,观察其清洗后的表面形貌,得到当激光功率为28W,光斑直径为0.05 mm,重复频率为50 kHz,扫描速度为1000 mm/s时,不仅能完全把漆层去除,而且不会损伤基底材料.研究结果为激光清洗船用钢表面漆层提供理论依据和实验参照.

    激光清洗数值模拟AH32船用钢表面形貌

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    Ba4Ce3Na3(PO4)6F2∶Ce3+/Eu2+的发光特性及能量传递

    梁绍龙秦晓东王嘉瑞郑明杰...
    100-106页
    查看更多>>摘要：为了解决荧光粉混合物之间存在的颜色再吸收和配比调控问题,采用高温固相法合成了一系列Ba4-xCe3Na3(PO4)6F2∶xEu2+颜色可调荧光粉.在297 nm光激发下,材料呈现双峰发射特征,570 nm黄色发射峰来源于Eu2+的4f65d1→4f7跃迁发射,而380-470 nm范围内的发射来源于Ce3+的4f65d1→4f7跃迁.研究发现,随着Eu2+浓度的增大,材料的发光颜色可以由蓝色变为黄色,色坐标由(0.056,0.069)变为(0.303,0.347),结合荧光衰减曲线,证明Ce3+到Eu2+存在着明显的能量传递.

    荧光粉发光能量传递Ba4Ce3Na3(PO4)6F2∶Eu2+

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    沉积温度对氮化铝压电薄膜性能影响及机制分析

    郭燕刘小军王进
    107-112页
    查看更多>>摘要：高频光电通信器件对压电材料特性要求越来越高,氮化铝(AlN)薄膜由于其优异的压电特性而备受关注,高取向高压电AlN薄膜沉积工艺优化成为其应用拓展的瓶颈技术之一,众多制备工艺参数中温度是影响AlN薄膜晶格取向的关键参数之一.本文采用磁控溅射的方法沉积AlN薄膜,研究了沉积温度对AlN薄膜晶体取向及压电性能的影响,X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)测试结果表明,250 ℃下可获得(100)取向AlN,300 ℃下AlN则优先(002)取向;压电测试结果表明,250 ℃下压电常数d33(达最大值0.79 V,表现出较优的压电特性.基于原子力显微镜(atomic force mi-croscopy,AFM)结果及温度对价键稳定性影响分析探索了温度对其生长的影响机制.

    氮化铝(AlN)衬底温度取向生长压电特性

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