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期刊信息/Journal information
光子学报
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侯洵

月刊

1004-4213

photon@opt.ac.cn

029-88887564

710119

西安市长安区新型工业园信息大道17号47分箱

光子学报/Journal Acta Photonica SinicaCSCD北大核心CSTPCDEI
查看更多>>本刊为学术月刊。宗旨是展示光子学的新理论、新概念、新思想、新技术和新进展，反映代表本学科前沿并具有国内外先进水平而为国际上关心的最新研究成果，促进国内外学术交流和讨论，加速科学技术进步。主要刊登本学科的学术论文、研究简报、研究快报。内容涉及光学，及其量子光学、瞬态光学、光电子学、光物理、光化学、光生物学、生物光子学、光医学、光通信、光传播、光传感、光计算、光神经网络、集成光学、信息光学、导波光学、非线性光学、高速摄影、智能光仪、微尺度光子技术、光装置中的电子学、力热声电磁核的光效应与光的力热声电磁核效应、光子功能材料、光子自身相互作用、光子的时空特性与结构、光子的经典与非经典效应等。本刊载文已被国内外多家数据库收录，并被国际检索刊物SA、EI、CA、PЖ作为源刊使用。
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    "光电探测器"专题导读

    李强王旭东徐明升徐尉宗...
    1-2页
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    基于范德华材料的偏振探测器及性能增强方法(特邀)

    王菁焦韩雪陈艳伍帅琴...
    3-22页
    查看更多>>摘要：随着高分辨率成像、信息通信、量子计算等先进技术对光电探测精度和效率的需求日益增长，偏振光探测作为光电技术的一个重要分支，正面临着前所未有的挑战和机遇。本文全面综述了基于范德华二维材料的偏振光电探测技术的最新进展，尤其聚焦于通过表面等离激元、铁电场调控以及转角材料等三种先进策略来显著提高偏振探测性能的创新方法。表面等离激元技术通过局域和传播等离激元共振增强光与材料的相互作用，显著提升了偏振探测的灵敏度和选择性。铁电场调控利用铁电材料的自发极化和局域电场，有效调节探测器件的载流子浓度和光电性能，为实现高效率和低能耗偏振探测提供了新的途径。转角材料通过调整双层二维材料之间的相对角度，引入电子结构和光学性质的可调控性，开辟了偏振探测新领域。最后展望了这些策略在未来偏振光电探测技术发展中的应用前景，强调了材料科学和微纳加工技术的综合应用将为实现高性能偏振探测器件提供强大的支持。

    光电探测器偏振探测二维材料等离激元铁电局域场转角范德华材料

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    基于磁控溅射法生长hBN薄膜的MSM型真空紫外探测器(特邀)

    房万年李强张启凡陈冉升...
    23-32页
    查看更多>>摘要：针对目前大面积高质量六方氮化硼(hBN)薄膜的制备与转移存在均匀性、晶粒控制、无损转移等问题，采用射频磁控溅射技术成功在2英寸硅和蓝宝石介电衬底上沉积了hBN薄膜，拉曼光谱、X射线光电子能谱表征证实了薄膜具有明显的hBN特征。制备了hBN基金属-半导体-金属型光电探测器，并探究了电极材料、薄膜厚度以及叉指电极宽度和间距对探测性能的影响。优选出的Ni电极探测器具有极低的暗电流(<3 pA@100 V)，对 185 nm波长光具有明显光响应，响应度和比探测率分别为2。769 mA/W和2。969×109 Jones。

    真空紫外探测六方氮化硼磁控溅射技术金属-半导体-金属型光电探测器

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    窄禁带半导体紫外光电探测研究进展(特邀)

    吴春艳张宇梁贺新辉杨小平...
    33-43页
    查看更多>>摘要：紫外光电探测器具有比可见和近红外光电探测器更低的背景噪声、更高的灵敏度和更强的抗干扰能力，广泛应用于光学成像、安全监测、空间探测等领域。近年来，窄禁带半导体微纳结构在紫外甚至日盲紫外探测领域脱颖而出。本文介绍了两类半导体微纳结构(超细纳米线、超薄纳米片)中光吸收特性随材料特征尺寸的变化，揭示了窄禁带半导体应用于紫外探测的工作机理，综述了基于窄禁带半导体微纳结构的紫外光电探测器的研究进展，并对发展趋势进行了展望。与宽禁带半导体和Si基紫外光电探测相比，窄禁带半导体微纳结构提供了一种工艺条件更简单、制造成本更低的紫外光电探测方式。

    光电探测器紫外窄禁带半导体泄漏模式共振厚度依赖的吸收系数

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    硅微透镜阵列与红外焦平面阵列的集成器件的制备与性能(特邀)

    侯治锦王旭东陈艳王建禄...
    44-50页
    查看更多>>摘要：为了提高红外焦平面阵列性能，分别制备了硅衍射微透镜阵列和InSb红外焦平面阵列并将两者集成在一起。采用光学系统和焦平面测试系统进行了测试。结果显示双面镀制有增透膜的硅衍射微透镜阵列的衍射效率为83。6%;电压响应图显示器件没有裂纹;集成器件的工作波段为3。7～4。8 μm，此时平均黑体响应率和探测率分别为4。85×107 V/W和7。12×109 cm·Hz1/2·W-1。结果表明硅微透镜阵列不仅可以提高焦平面阵列占空因子，而且可以通过优化焦平面应力匹配来解决芯片裂纹问题，集成器件性能优于现有焦平面性能。

    集成红外焦平面阵列硅微透镜阵列占空因子芯片裂纹

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    PEN衬底氧化镓基柔性紫外探测器的制备与性能研究(特邀)

    丁悦皇甫倩倩左清源梁金龙...
    51-59页
    查看更多>>摘要：针对传统硬性衬底无法弯折的问题，采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性，能够提升探测器的鲁棒性，并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景，同时减少占用空间，有助于整个电路的集成化。实验使用磁控溅射镀膜工艺首先在PEN衬底上生长氧化镓薄膜，并在氧化镓薄膜上生长氧化铟锡电极，在室温下成功制备柔性氧化镓紫外光电探测器，器件响应波长处于小于280 nm的深紫外区。将器件弯折20 000次后其暗电流无显著变化，光电流增大，保持了良好的紫外光探测性能，探测器上升时间和衰减时间分别为0。24 s/0。74 s和0。10 s/0。71 s，其电流-时间特性曲线呈现周期性稳定，表明即使经过多次弯折，柔性氧化镓紫外探测器仍然具有良好的光电探测性能。

    半导体光电探测器柔性紫外探测器射频磁控溅射氧化镓聚萘二甲酸乙二醇酯氧化铟锡

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    ZnO/Spiro-MeOTAD异质结自驱动光电探测器的制备及性能(特邀)

    李朋凡黄雨欣俞学伟冯仕亮...
    60-69页
    查看更多>>摘要：ZnO具有高稳定性、低成本、宽带隙等优点，被广泛用于光电探测器但响应速度较慢，采用Zn(TFSI)2和CNT∶TiO2作为混合掺杂剂来代替Li-TFSI，以提高Spiro-MeOTAD的稳定性及光电性能，采用旋涂法制备了ZnO/Spiro-MeOTAD异质结构筑光电探测器。ZnO/Spiro-MeOTAD光电探测器在250～600 nm波长范围内，具有良好的自驱动特性。在0 V条件下，ZnO/Spiro-MeOTAD器件在368 nm的入射光照射下具有最高的光电性能，响应度为27。34 mA W-1，比探测率为3。62×1011 Jones，开关比为2 029，上升/下降时间分别为0。71 s/0。55 s，相较于ZnO的光电性能(响应度为17。74 mA·W-1，比探测率为5。11×1010 Jones，开关比为63。6，上升/下降时间为11。76 s/1。49 s)分别提升提高了1。5倍、7倍、32倍。ZnO/Spiro-MeOTAD器件在 550 nm处仍具有明显响应，响应度和比探测率分别为 2。48 mA·W-1 和3。32×1010 Jones，对比ZnO器件提高了248倍和940倍。不同放置时间(1个月)和预处理温度(0～140℃)下光电流的变化，验证了Spiro-MeOTAD加入构筑p-n异质结，不仅可以显著提升ZnO基光电探测器的响应度、开关比和响应速度，同时使得探测器具有良好的稳定性，可以应用于较高温度工作环境。

    光电探测器异质结旋涂法ZnOSpiro-MeOTAD自驱动

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    二维六方氮化硼的制备及其光电子器件研究进展(特邀)

    罗曼周杨成田恬孟雨欣...
    70-86页
    查看更多>>摘要：六方氮化硼是一种具有宽带隙和二维层状结构的代表性材料，拥有优异的物理化学稳定性和高热导率等独特特性。其表面原子级平整、无悬挂键和带电杂质，被公认为是作为其它低维材料衬底的理想选择。另一方面，六方氮化硼对深紫外波段的强吸收和中红外波段的双曲特性，使其成为了制备高性能深紫外和中红外探测器的重要材料。本文首先介绍了六方氮化硼的晶体结构和材料特性，然后将材料制备方法分为"自上而下"和"自下而上"两类，系统阐述了六方氮化硼的制备现状，接着从衬底/介质层/钝化层、隧穿层和吸收层三方面重点回顾了六方氮化硼在光电子器件领域的研究进展。最后，基于六方氮化硼的研究现状，分析了其所面临的一些挑战和机遇。

    二维材料六方氮化硼材料特性制备方法光电子器件

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    原子层沉积Al2O3钝化对InAs/InGaAsSb Ⅱ类超晶格发光特性的影响

    项超王登魁方铉房丹...
    87-95页
    查看更多>>摘要：提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法，采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层，利用原子层沉积Al2O3薄膜钝化刻蚀表面，对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性。处理后超晶格的As 3d谱中As-O键相关的峰消失表明其表面的氧化物被有效去除。样品的发光强度与激发光功率之间的拟合系数α从1。17减小为1。02，表明激子主导的发光占比增加。连续五天的红外光谱测试发现，处理后样品发光强度降低为原来的89%，而未处理样品的发光强度降低为原来的 76%，表明处理后超晶格表现出更好发光稳定性。本研究为提升InAs/InGaAsSb超晶格性能、促进其光电探测领域的应用提供参考。

    InAs/InGaAsSb超晶格钝化Al2O3原子层沉积发光特性

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    基于稀疏光电探测阵列的轻武器终点弹道关键参数测量

    杨子钰陈丁沈岭南
    96-108页
    查看更多>>摘要：为了有效、准确、可靠地获取轻武器终点弹道的关键参数(包括射击精度、弹丸飞行速度、弹道姿态角和射击频率等)，提出了一种基于稀疏分布光电探测器阵列的测量方法。根据弹丸激波在终点弹道横截面的传播速度分布特性，结合稀疏光电探测阵列结构参数构建一种测量模型，精确解析出关键参数测量结果。通过数值模拟仿真分析测量误差变化规律，可知探测靶面内从中心向四周的坐标测量误差逐渐减小，姿态角测量误差随坐标差值的增大而减小，速度测量误差随靶距的增加而减小。实弹射击对比实验结果表明，该测量方法能够满足轻武器终点弹道关键参数测试要求，与以往的方法相比，具有探测靶面积足够大、无探测盲区、成本较低、安装调试方便等优点。

    靶场测试光电探测激波效应轻武器终点弹道参数

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