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期刊信息/Journal information
量子电子学报
量子电子学报

龚知本

双月刊

1007-5461

LK@aiofm.ac.cn

86-551-65591564

230031

安徽省合肥市1125邮政信箱

量子电子学报/Journal Chinese Journal of Quantum ElectronicsCSCD北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊是中国光学学会基础光学专业委员会和中国科学院安徽光学精密机械研究所共同主办、科学出版社出版、国内外公开发行的学术期刊，全国物理类及无线电电子学、电信技术类核心期刊，其宗旨是致力于报导和反映我国量子电子学及相关的交叉学科领域中最新的实验和理论研究成果，有创见的专题综述教和教学研究，为促进国内外学术交流和发展我国的量子电子学事业服务。读者对象为高等院校有关专业的师生以及相关研究所和公司的科研工作者、工程师。
正式出版
收录年代

    Ge/SiGe非对称耦合量子阱强度调制特性仿真

    江佩璘张意黄强石浩天...
    388-396页
    查看更多>>摘要：硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台，然而迄今为止，对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此，提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构。首先，利用8带k·p理论模型对耦合量子阱的能带结构和电子波函数进行了仿真计算;然后，详细分析了外加电场强度在0 kV/cm至60 kV/cm范围内，非对称耦合量子阱对TE和TM偏振模式的传输光的光吸收谱随外加电场强度的变化。仿真结果表明，对于TE偏振模式的传输光，在无外加电场强度条件下，非对称耦合量子阱的第一个吸收带边约在1449 nm处;而在30 kV/cm外加电场下，该量子阱的吸收带边相比于无外加电场情况向长波方向移动约22 nm，比相同外加电压下的普通量子阱显著。本工作所提出的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构是一种有望实现更低工作电压、更高速和更低损耗硅基强度调制器的结构。

    光电子学强度调制量子限制斯塔克效应Ge/SiGe量子阱非对称耦合量子阱

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    《量子电子学报》征稿简则

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