查看更多>>摘要:反铁电材料凭借超高的功率密度,在电介质能量存储领域具有极高的研究热度.锆酸铅(PbZrO3,PZO)是反铁电材料的典型代表,也是研究最为广泛的反铁电材料之一.如何提升PZO基材料的储能性能是目前的研究重点.本工作在La3+掺杂PZO的基础上,进一步将小半径的Sr2+掺入到PZO钙钛矿结构的A位,实现了 PZO基反铁电薄膜储能性能的进一步提升.采用溶胶-凝胶法制备了 A位La/Sr共掺杂Pb0.94-xLa0.04SrxZrO3(Sr-PLZ-x,x=0,0.03,0.06,0.09,0.12)反铁电薄膜,系统研究了不同Sr2+掺杂量对Sr-PLZ-x反铁电薄膜的晶体结构,以及铁电性能、储能性能和疲劳性能等的影响.结果表明:随着Sr2+掺杂量x的增加,Sr-PLZ-x薄膜的晶格常数不断减小,薄膜的饱和极化强度先略有增加并保持,后逐渐降低.同时,Sr-PLZ-x薄膜的容忍因子逐步降低,转折电场不断增大,反铁电性逐渐增强,击穿场强有所提高,储能性能得到提高.在x=0.03时,Sr-PLZ-x反铁电薄膜的储能密度和储能效率分别达到31.7 J/cm3和71%,储能性能最优.同时掺入Sr2+也使得Sr-PLZ-x反铁电薄膜的疲劳性能进一步优化,其中x=0.12组分薄膜样品在经历了 107次循环后,储能密度和储能效率仅有3.4%和2.7%的衰减.综上所述,A位La/Sr共掺杂可有效提高PZO基反铁电薄膜的储能性能.