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期刊信息/Journal information
无机材料学报
中国科学院上海硅酸盐研究所
无机材料学报

中国科学院上海硅酸盐研究所

郭景坤

月刊

1000-324X

wjclxb@mail.sic.ac.cn

021-52411301 52411302

200050

上海市定西路1295号

无机材料学报/Journal Journal of Inorganic MaterialsCSCD北大核心CSTPCDEISCI
查看更多>>本刊为专业技术性刊物。主要刊登人工晶体、特种玻璃、高温结构陶瓷、功能陶瓷、非晶半导体、无机涂层、特种无机复合材料等方面的科研成果。主要栏目有综合评述、研究论文、研究简报、动态进展等。主要读者对象为相关学科的科技工作者及大专院校师生。
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收录年代

    基于CuI/Si单边异质结的微光高灵敏双波段可切换光电探测器

    杨佳霖王亮君阮丝园蒋秀林...
    1063-1069页
    查看更多>>摘要：近年来,碘化铜(CuI)因其较高的本征霍尔迁移率、高光吸收和较大的激子结合能而成为一种新兴的p型宽带隙半导体.然而,在传统半导体材料表面制备高质量CuI薄膜非常困难,已有Cui基异质结器件的光谱响应和光电转换效率较低.本研究采用一种简易的金属碘化法制备了一种p-CuI/n-Si结构的光电二极管.虽然获得的CuI是带有明显结构缺陷的多晶薄膜,但CuI/Si二极管具有很高的弱光灵敏度.其高达7.6×104的整流比表明该光电二极管具有良好的缺陷容忍度,这与p+n型二极管的单边异质结这一特殊结构有关.本研究对该p+n型二极管的光电响应进行了较为系统的研究,选择波长分别为400、505、635和780 nm的不同单色激光器进行光响应测试.在零偏置电压条件下,该器件为单边异质结,耗尽层仅在硅一侧,因此只有可见光被吸收.当施加-3 V的偏置电压时,光电二极管被切换到"紫外-可见"双波段响应的工作模式.因此,通过调整偏置电压可以使检测波长在"可见"波段和"紫外-可见"波段之间切换.此外,本研究所得到的CuI/Si二极管对弱光照非常敏感.在入射光功率密度低至0.5 μW/cm2时,其具有高达1013～1014 Jones的探测率,明显优于其他铜基光电二极管.相关研究结果证实了 Cui在与传统硅工业集成时的高应用潜力.

    碘化铜异质结光电探测器

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    非本征背照触发平面型4H-SiC光导开关性能研究

    王浩刘学超郑重潘秀红...
    1070-1076页
    查看更多>>摘要：光导开关(PCSS)是脉冲高功率系统和微波技术应用中的关键器件,减小碳化硅(SiC)光导开关的损伤,延长器件寿命是重要的研究方向.本工作在直径4英寸、厚度500 pm的高纯半绝缘4H-SiC衬底上制备多种结构的光导开关器件,重点研究了导通电阻和损伤机制.1kV偏压下,采用532 nm、170 mJ的脉冲激光背面照射触发经过950 ℃退火的Au/TiW/Ni电极体系的碳化硅光导开关,最小导通电阻为6.0 Ω.当激光光斑直径大于光导开关器件沟道宽度时,采用背面照射触发相较于前面照射触发可以减小导通电阻并减轻损伤.碳化硅光导开关器件在10 Hz激光下触发200 s,Au/TiW/Ni体系光导开关产生黑色枝状烧蚀损伤,主要原因是热载流子引起的热应力.采用400 ℃退火的硼镓共掺杂氧化锌(BGZO)薄膜替换金属Ni,黑色烧蚀得到缓解,但是在光导开关阳极出现同心圆弧损伤,其主要成因是脉冲激光的衍射和热效应的共同作用.

    碳化硅光导开关导通电阻失效分析

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