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期刊信息/Journal information
物理学报
中国物理学会，中国科学院物理研究所
物理学报

中国物理学会，中国科学院物理研究所

欧阳钟灿

半月刊

1000-3290

wulixb@aphy.iphy.ac.cn

010-82649294

100190

北京603信箱

物理学报/Journal Acta Physica SinicaCSCD北大核心CSTPCDEISCI
查看更多>>刊登物理学科各领域中原创性成果的前沿研究综述、研究快讯及研究论文。该刊以论文水平高、创新性强，发表速度快的特点，受到国内外物理学工作者的高度重视，被国际著名的SCI等17种核心检索系统收录。2004年在SCI数据库中，影响因子为1.250。该刊被引频次已连续5年居中国物理类期刊第一位，已达到国际期刊的中上水平。在中信所数据库中，该刊被引频次和影响因子已连续7年居中国物理类期刊第一位，曾多次被评为中国科学院优秀期刊一等奖，荣获首届、第二届、第三届国家期刊奖，2001年荣获中国期刊方阵“双高”（高知名度，高学术水平）期刊和2001，2002，2003，2004，2005年百种中国杰出学术期刊奖。　　　 欢迎各省、市、县图书情报界、科技教育界、高科技企业界及广大物理学工作者订阅。
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收录年代

    面向类脑计算的低电压忆阻器研究进展

    贡以纯明建宇吴思齐仪明东...
    227-251页
    查看更多>>摘要：忆阻器是非易失性存储器和神经形态计算的优秀候选者.电压调制作为其关键性能策略,是获得纳瓦超低功耗、飞焦超低能耗工作的基础,有助于打破功耗墙、突破后摩尔时代算力瓶颈.然而基于高密度集成忆阻器阵列的类脑计算架构还需重点考虑开/关比、高速响应、保留时间和耐久性等器件稳定性参数.因此如何在低电场下实现离子/电子的高效、稳定驱动,构筑电压低于1 V的低电压、高性能忆阻器成为了当前实现类脑计算能效系统的关键问题.本文综述了近年来面向类脑计算的低电压忆阻器的研究进展.首先,探讨了低电压忆阻器的机制,包括电化学金属化机制和价态变化机制.在此基础上,系统总结了各材料体系在低电压忆阻器中的优势,涵盖了过渡金属氧化物、二维材料和有机材料等.进一步围绕材料工程、掺杂工程、界面工程提出了相应的低电压忆阻器实现策略,最后,展望了基于低电压忆阻器的类脑功能模拟及神经形态计算应用,并对现存问题和未来研究方向进行了讨论.

    忆阻器低电压类脑计算

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    莫尔超晶格中的分数化拓扑量子态

    刘钊
    252-256页
    查看更多>>摘要：带有分数化准粒子激发的分数量子霍尔态是一种奇特的强关联拓扑量子物态,自1982年在强磁场二维电子气中被首次观测到以来一直是凝聚态物理重要的前沿方向.去年来,有多个团队在基于过渡金属硫族化合物和石墨烯的莫尔超晶格中观测到了零磁场分数量子霍尔效应,在莫尔超晶格中还发现了分数量子自旋霍尔效应的迹象.这表明莫尔超晶格体系能够有效调控能带及相互作用,是在零磁场条件下实现分数化拓扑量子态的理想平台.本文简要论述了与此相关的研究进展和存在的挑战,并对该领域未来可能的发展方向做出展望.

    莫尔超晶格分数陈绝缘体分数量子自旋霍尔效应非阿贝尔拓扑序

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    单层SnS场效应晶体管的第一性原理研究

    郭颖潘峰姚彬彬孟豪...
    257-267页
    查看更多>>摘要：基于硅基材料的逻辑器件由于其短沟道效应,使摩尔定律失效,二维半导体材料被认为是继续缩小晶体管尺寸以生产更多摩尔电子器件的潜在沟道材料.最近在实验上突破了技术瓶颈的限制,实现了二维场效应晶体管突破亚1 nm沟道极限,并且表现出优异的器件性能.这极大地鼓舞了在理论上进一步探索二维器件的性能.二维SnS具有较高的载流子迁移率和各向异性的电子性能,且材料性能环境稳定.本文应用第一性原理研究了亚5 nm SnS场效应晶体管的量子输运特性,鉴于SnS的各向异性,本文将器件沿单层SnS的armchair和zigzag两个方向进行构造,发现p型zigzag方向的器件性能优于其他类型(包括n型、p型的armchair方向和n型的zigzag方向).p型zigzag方向器件的开态电流在栅长缩短到1 nm也能满足国际半导体技术路线图的高性能(HP)器件要求,其值高达1934μA/μm.这在目前报道的1 nm栅长上的器件材料性能方面处于领先.

    量子输运模拟单层SnS亚5nm场效应管开态电流

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    Al纳米孔阵列/(AlxGa1-x)2O3薄膜中的紫外波段超常透射

    朱文慧冯磊张克雄朱俊...
    268-276页
    查看更多>>摘要：采用有限差分时域算法计算(AlxGa1-x)2O3薄膜衬底上的周期性三角晶格Al纳米孔阵列的透过率,研究不同(AlxGa1-x)2O3衬底的Al组分x以及Al纳米孔阵列的厚度、孔径和周期对其光学传输特性的影响.数值计算结果表明,当x=0时,在263 nm和358 nm波长范围处出现两个强透射峰,随着x的增大,其中位于263 nm处的透射峰发生轻微蓝移,强度则先增强后下降;358 nm处的透射峰发生明显蓝移且不断加强.若纳米孔阵列的周期不变,随着空气柱孔径增大时,紫外波段两强透射峰峰值位置分别位于244 nm和347 nm处,两峰均先发生红移再蓝移,透过率不断增大,反射率减小.随着周期扩大,紫外波段两强透射峰分别位于249 nm和336 nm处,两透射峰均发生明显红移,其中249 nm处的透射峰红移至304 nm,336 nm处的透射峰红移至417 nm,并且透过率不断降低.随着Al厚度的增大,位于380 nm处的透射峰峰值位置发生蓝移,且透过率不断下降.本文数据集可在 https://doi.org/10.57760/sciencedb.j00213.00036 中访问获取.

    (AlxGai-x)2O3Al纳米孔阵列局域表面等离子体共振超常透射

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    具有快响应速度和低暗电流的垂直MSM型CsPbBr3薄膜光电探测器

    程学明崔文宇祝鲁平王霞...
    277-285页
    查看更多>>摘要：卤化物钙钛矿具有优异的电学和光学性能,是光电子器件中理想的有源层候选材料,特别是在高性能光探测方面显示出更具竞争力的发展前景,其中全无机钙钛矿CsPbBr3因其良好的环境稳定性而被广泛关注.本文报道了一种具有快响应速度和低暗电流的垂直MSM型CsPbBr3薄膜光电探测器.由于采用垂直结构缩短了光生载流子的渡越距离,器件具有超快的响应速度63 μs,比传统平面MSM型光电探测器提高了两个数量级.然后,通过在p型CsPbBr3与Ag电极之间旋涂一层TiO2薄膜,提升了界面光生载流子的分离效率,实现了钙钛矿薄膜与金属电极间的物理钝化,从而大大降低了器件的暗电流,在-1 V的偏压下暗电流只有-4.81×10-12 A.此外,该种垂直MSM型CsPbBr3薄膜光电探测器还具有线性动态范围大(122 dB)、探测率高(1.16×1012 Jones)和光稳定性好等诸多优点.通过Sentaurus TCAD模拟发现,电荷传输层可以选择性的阻挡载流子传输,从而起到降低暗电流的作用,Sentaurus TCAD模拟结果与实验数据吻合,揭示了电荷传输层降低器件暗电流的内在物理机制.

    CsPbBr3光电探测器垂直结构低暗电流高响应速度

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    NWC人工甚低频台站信号产生"条缕状"准捕获电子能谱的模拟研究

    刘阳希子项正周晨倪彬彬...
    286-299页
    查看更多>>摘要：遍布全球的人工甚低频台站发射的信号主要用于对潜通信,在夜间,这些信号可以泄漏进磁层与内辐射带中几十至几百keV电子发生回旋共振,从而导致电子沉降.这一过程是导致内辐射带电子损失的重要原因,也是磁层-电离层耦合过程中能量和物质输运的重要环节.被台站信号散射的电子呈现出能量随L增加而减小的"条缕状"能谱结构,与台站信号和电子的一阶回旋共振能量曲线相符.低轨卫星可以对"条缕状"能谱结构进行清晰地观测,为研究近地空间波粒相互作用提供了重要契机.本文基于Drift-Diffusion-Source模型,复现了 DEMETER卫星于2009年3月19日多个轨道测量的NWC台站信号导致的"条缕状"能谱,量化了NWC台站信号对辐射带电子的散射作用,明晰了 NWC台站信号的幅度和传播角,揭示了内辐射带电子漂移过程中的动态变化规律,为开发人工影响辐射带技术提供了重要理论参考.

    地球辐射带波粒相互作用人工甚低频台站信号电子投掷角扩散

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