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期刊信息/Journal information
真空
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陆国柱

双月刊

1002-0322

zkzk@chinajournal.net.cn

024-24110136

110042

辽宁省沈阳市万柳塘路2号

真空/Journal Vacuum北大核心CSTPCD
查看更多>>本杂志是中国真空界主要杂志之一。自1994年真空杂志转换经营机制以来，由我国真空企业界实力雄厚的厂家与杂志社联办成立董事会，并由真空学术界著名学者组成编委会。社会效益与经济效益与日俱增，在国内真空界享有盛誉。自1989年公开发行以来，被美国、英国、德国、日本、意大利、韩国以及港澳地区越来越多的海外学者所关注。
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    罗茨真空机组预抽阶段的抽气特性比较研究

    张世伟高雷鸣李润达满永奎...
    1-6页
    查看更多>>摘要：针对罗茨泵真空机组在启动预抽阶段的三种工作模式——旁通式、直通式和变频式,分别建立了简化计算模型,推导得出罗茨泵进入正常稳态工作之前罗茨机组的有效抽速计算公式,以及被抽容器的抽气时间计算方法.通过一个计算示例,对比得出了三种不同启动预抽方式的压力-时间曲线,结果表明,直通式、旁通式、变频式工作模式下容器的抽气时间依次减少,变频启动方式比目前较多采用的直通式启动方式节省抽气时间46.58％.

    罗茨真空机组启动预抽抽速计算变频

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    管道断面外形对亚音速真空管道磁浮系统气动特性的影响

    宋嘉源李田张继业张卫华...
    7-12页
    查看更多>>摘要：亚音速真空管道磁浮系统内部流场复杂,研究管道断面外形对气动效应的影响至关重要.基于计算流体力学,考虑流体粘性与列车悬浮间隙建立了三维亚音速真空管道列车空气动力学模型,数值模拟并对比分析了四种不同断面外形管道内的气动力、流场和气动热效应.4种典型的管道外形为圆形、马蹄形、矩形和拱形.研究结果表明:当阻塞比一定时,列车在拱形管道中受到的气动阻力最小,其次为圆形管道,矩形管道内的列车气动阻力最大;圆形管道内垂直方向的压力梯度最小,管道表面压力最低;亚音速真空管道磁浮系统中最高温度分布在列车鼓包两侧,最低温度分布在管道表面;不同断面外形对温度分布的影响较小.在管道断面面积一定的情况下,优先推荐选用拱形管道,其次为圆形管道.

    真空管道列车管道断面外形气动力压力气动热

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    卫星柔性贮存方法

    刘胜王凯任国华孙立臣...
    13-17页
    查看更多>>摘要：针对卫星在厂房内不进行土建改造且具备随时解封与重密封能力,并且实现环境受控的贮存条件要求,文章提出一种基于柔性贮存方式的解决方案,针对贮存要求与相关标准,设计出一套柔性贮存系统,主要包含可变式支撑骨架、柔性密封薄膜以及监控系统几部分.对支撑骨架进行机械与电气设计,以及结构强度的有限元仿真计算;对柔性密封薄膜的密封性能、强度性能、不同气体渗透情况等进行了调研、分析与试验验证;对贮存环境监控系统的软硬件部分开展具体设计,使其实现贮存环境下温度、湿度、压力、洁净度、氮浓度等参数的实时监测与存储,以及环境数据的分析功能.整个系统各部分采取模块化设计,空间大小可调节、监测传感器配置可根据需求进行增减,不同模块之间可在各系统之间实现自由移植,实现通用化.通过基于该柔性贮存系统的贮存方案实施,首次实现卫星整星在环境可控条件下的长期柔性贮存工作.

    卫星柔性贮存环境控制方案

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    基体偏压模式对CrN薄膜结构和阻氢性能的影响

    张辉王晓波张炜鑫巩春志...
    18-23页
    查看更多>>摘要：为了避免金属材料因为氢扩散而导致的失效,通常在其表面制备氧化物或氮化物等的阻氢薄膜,而薄膜的微观组织、晶体结构等对其阻氢性能的影响显著.本文在不锈钢基体上制备出CrN阻氢薄膜,系统研究了高/低基体偏压调制模式对CrN薄膜结构和阻氢等性能的影响.采用高功率磁控溅射技术在四组基体偏压模式下分别制备了具备一定高温抗氧化性的CrN阻氢薄膜.结果表明:20min×3模式下薄膜为双层结构,其余均为单层薄膜;基体偏压为100V和500V时,膜层受离子的轰击效果差别很大;10min×6模式下因为频繁地变换基体偏压,柱状晶来不及生长就被打碎,膜层最薄,但晶粒细化,膜层致密度最高;20min×3模式下,薄膜的氢抑制率最高,达到95.7％,氢原子的扩散系数最小,相比于316L不锈钢基体降低了3个数量级;四种基体偏压模式下,CrN薄膜的高温抗氧化性能区别不大,其单位面积氧增重均约为316L不锈钢基体的一半,即实验制备的CrN薄膜抗氧化性能比316L不锈钢基体提高1倍,其均具备优异的高温抗氧化性能.

    基体偏压模式CrN高功率脉冲磁控溅射阻氢高温抗氧化

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    实验优化设计中频反应溅射Al2O3:Ce薄膜发光性质研究

    廖国进闫绍峰仪登利戴晓春...
    24-28页
    查看更多>>摘要：为了得到最优发光的薄膜材料成分参数,采用均匀设计和二次通用旋转组合设计相结合的方法建立发光强度与薄膜中氧含量和Ce3+离子掺杂浓度的回归方程,并用遗传算法求其取最大值时的解.用中频反应磁控溅射技术制备了相应成分的Al2O3:Ce非晶薄膜.在320nm光激发下,获得了较理想的发射光谱,对薄膜发光机理分析表明:薄膜的光致发光来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈的依赖于薄膜的掺杂浓度和氧元素含量.XPS检测表明,Al2O3:Ce薄膜中存在Ce3+.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.

    光致发光实验优化Al2O3薄膜稀土元素

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    磁控溅射制备大面积ZnO薄膜性能的研究

    刘沅东
    29-32页
    查看更多>>摘要：通过磁控溅射氧化锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射功率、溅射气压以及基片温度对ZnO薄膜相结构、禁带宽度及光学性能的影响.使用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,采用薄膜测试仪测试薄膜的透过率,采用扫描电镜(SEM)观察薄膜表面形貌.结果表明:不同制备条件下均形成具有(002)择优取向的ZnO薄膜;工艺参数主要对薄膜的透过率造成影响;溅射功率的大小影响生成薄膜的完整性.

    磁控溅射ZnO薄膜透过率

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    β-Ga2O3/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究

    张杰邓金祥徐智洋孔乐...
    33-39页
    查看更多>>摘要：氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料.本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了 β-Ga2O3/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质.与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的"陷光"特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低.室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰.β-Ga2O3/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p-SiNWs长度增加异质结理想因子逐渐增加,最佳理性因子为1.98.通过计算logI-logV图对其电荷传输机制进行了探究.退火可以提高β-Ga2O3薄膜的结晶度,从而提高异质结的电学特性.

    氧化镓硅纳米线阵列异质结光学性质电学性质

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    热丝CVD法制备金刚石涂层刀具的研究现状

    万书宏林晶冯帅
    40-47页
    查看更多>>摘要：金刚石涂层刀具具有优异的硬度、耐磨性及导热性,在军事、航空航天等高精尖应用领域加工石墨、高硅铝合金、碳纤维增强塑料等难切削材料时无可替代,但目前金刚石涂层刀具存在两个问题:一是涂层与刀具间膜基结合力较差,导致涂层在使用中过早脱落;二是涂层表面粗糙度较大,难以保证被加工面的平整度与尺寸精度.本文从增强涂层结合力与降低涂层粗糙度两方面,将近年来科研人员对HFCVD法制备金刚石涂层的研究成果加以综述,并分析了各种因素对金刚石涂层刀具性能的影响.

    热丝CVD硬质合金衬底金刚石涂层刀具膜基结合力表面粗糙度

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    新型碳纳米管微焦点电子源研究

    祝维陆群旭钱维金黄卫军...
    48-53页
    查看更多>>摘要：介绍了一种基于碳纳米管场发射的新型微焦点电子源技术.利用激光烧蚀镍金属表面使内部未氧化的镍金属熔化喷出暴露于基底表面,再通过化学气相沉积制备出直径约为350μm的半球壳型碳纳米管薄膜阴极.场发射测试表明,电子源具有低开启电场(<1V/μm)、高发射电流(可达1A/cm2)和高压强发射稳定等特点.通过复合石墨烯和750℃真空高温退火,高压强发射稳定性得到进一步提高.该工作提供了一种制备强流微尺度场发射阴极的有效途径.

    场发射电子源化学气相沉积多壁碳纳米管石墨烯激光烧蚀

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    浸渍阴极的真空预处理技术

    刘燕文孟鸣凤陆玉新朱虹...
    54-58页
    查看更多>>摘要：本文总结了用于真空微波电子器件的浸渍阴极的蒸发规律,通过分析提出了浸渍阴极预处理工艺,建立了超高真空装置.在超高真空环境下,将浸渍阴极灯丝加热,使阴极温度升高到1100～1200℃,保持1～200h(温度和时间依不同微波管型而定).预处理工艺解决了浸渍阴极发射与蒸发的矛盾,现已建立数十台、几十个工位的浸渍阴极预处理设备,大大提高了微波真空电子器件中电子枪的绝缘性能,减小了栅发射.浸渍阴极预处理工艺还可以加速检验热子的可靠性,从而避免微波器件在使用过程中才发现热子短路、热子缺陷及热子焊接点不牢等因素造成热子断路的问题,提高了微波真空电子器件中热子的可靠性.

    真空微波电子器件浸渍阴极真空蒸发阴极预处理

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