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真空与低温
真空与低温

李得天

季刊

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真空与低温/Journal Vacuum and Cryogenics北大核心CSTPCD
查看更多>>本刊着重反映真空与低温这两门学科在现代科学技术中的应用和发展。
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    氩气和氪气磁控溅射对Zr-Co-RE薄膜微观结构和吸氢性能的影响

    周超马占吉何延春杨拉毛草...
    83-89页
    查看更多>>摘要：为了获得吸气性能较好的Zr-Co-RE(RE为La和Ce稀土元素)吸气剂薄膜,采用直流磁控溅射方法,分别在氩气和氪气气氛中,通过改变沉积气压研究制备了不同结构的Zr-Co-RE薄膜.运用场发射扫描电镜、X射线衍射仪分析了不同溅射气压下溅射气氛对薄膜结构的影响;采用动态定压法分别测试了在氩气和在氪气中沉积的薄膜的吸氢性能,分析了溅射气氛和薄膜结构对吸氢性能的影响.结果表明,在同等气压下,用氩气溅射沉积的薄膜较致密,用氪气溅射沉积的薄膜表面分布有较多的团簇结构和裂纹结构,薄膜呈明显的柱状结构,且柱状组织间分布着大量的界面和间隙,为气体扩散提供了更多的路径;随着氩气和氪气气压增大,薄膜含有更多的裂纹和间隙结构,连续性柱状结构生长更明显,裂纹更深更宽,比表面积更大,有利于提高薄膜的吸氢性能.

    Zr-Co-RE薄膜直流磁控溅射氪气溅射气压微观结构吸氢性能

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    空间柔性阵列天线薄膜阵面制造技术研究

    王虎王艺格桑顿珠赵慨...
    90-97页
    查看更多>>摘要：简要阐述了空间柔性天线的进展,分析了空间柔性天线薄膜阵面制造关键技术.研究了薄膜阵面电磁波传输金属薄膜制备技术、薄膜阵面图形化制造技术、薄膜阵面拼接用材料评价、薄膜阵面的裁切技术等.采用磁控溅射技术,通过溅射功率、走带张力、走带速度的调节,在有机柔性薄膜基材上镀制了不同厚度的金属铜膜,实现了有机柔性薄膜基材的表面金属化;利用飞秒激光刻蚀精度高,不损伤柔性薄膜基材的特点,获得了图形化的金属薄膜阵面单元;对 3M92号胶带与改性聚酰亚胺胶接材料的拼接强度与耐高低温性能进行了试验对比,发现改性聚酰亚胺胶接材料的强度与耐高低温性能更好,更适合薄膜阵面的拼接;对比了用纳秒激光和飞秒激光裁切的薄膜微观形貌,结果表明,用飞秒激光裁切的切面光滑,无烧蚀与毛刺,适合于高精度薄膜阵面的制造.研究为空间柔性阵列薄膜天线的制造提供了大量的基础数据.

    空间柔性阵列天线薄膜阵面制造激光刻蚀胶接材料激光裁切

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    化学气相沉积SiC涂层反应特性及沉积过程的模拟研究

    高恒蛟曹生珠张凯锋丁旭...
    98-104页
    查看更多>>摘要：借助基于有限元原理的COMSOL软件和分子动力学模拟原理的Reax FF软件对化学气相沉积技术制备SiC涂层的反应特性及沉积过程进行模拟研究,为高温抗氧化复合涂层体系中SiC中间层的工艺优化及制备提供理论支持.结果表明,化学气相沉积SiC涂层过程包括前驱体三氯甲基硅烷(CH3SiCl3)的扩散过程和热解反应过程,SiC涂层在扩散过程不会生长,仅从 10-4 s后的热解反应过程开始生长,沉积生长过程同时伴随涂层的解离.随着入射粒子能量的增大,单位时间内沉积到基底表面的Si和C粒子数不断增加.提高粒子入射能量有利于提高SiC涂层的致密度,当入射粒子能量大于 2eV时可以实现SiC涂层的均匀生长,而当入射能量高于 6eV时,解离的Si和C粒子数量增大,不利于SiC涂层的生长.综合而言,当入射能量为 3eV时,化学气相沉积的SiC涂层综合性能最佳.

    CVDSiC涂层反应特性生长过程入射能量

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    "表面工程技术"专刊序言

    何延春张凯锋
    封2,前插1页
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