查看更多>>摘要:[目的]研究镉(Cd)胁迫下不同浓度过氧化氢(H2O2)对水稻幼苗生长、根系发育及活性氧、Cd含量的影响,阐明H2O2 在水稻Cd耐受和吸收分配中的作用机理.[方法]采用水培试验方法,供试材料为粳型水稻(Oryza sativa L.,ZH11).在水稻营养液中添加 10 μmol/L CdCl2 进行Cd胁迫,同时分别添加 0、20、80 μmol/L H2O2 溶液,以正常营养液培养为对照(CK).处理 1 天后取根系鲜样测定水稻幼苗内源H2O2、超氧阴离子含量;处理 30 天后,测定水稻幼苗倒二叶的SPAD值、株高、根系形态、干物质重、Cd2+含量,提取根表铁膜及亚细胞组份.为验证外源H2O2 在Cd胁迫中的作用,设置了H2O2 清除剂碘化钾(KI)添加试验,对水稻幼苗进行 10µmol/L CdCl2+20µmol/L KI和 20µmol/L KI处理.处理 20 天时,测定水稻幼苗倒二叶的SPAD值和株高.从CK和 10µmol/L CdCl2、10µmol/L CdCl2+20µmol/L H2O2 处理 1 天的水稻根中提取总RNA.[结果]Cd胁迫下,水稻生长受到抑制,外源添加H2O2 显著缓解了水稻Cd胁迫,且随着浓度增加缓解效果减弱,但添加KI加剧Cd胁迫造成的抑制作用.20 μmol/L H2O2 处理下,水稻株高较无H2O2 处理增加了 35.1%,倒二叶SPAD值提高了 50.5%,地上部和根部干重分别显著提高 227.1%和 339.0%,根系形态参数(总根长、根表面积、根体积、根尖数)显著增加.Cd胁迫导致水稻幼苗根中超氧阴离子含量显著增加,外源添加H2O2 可以显著降低超氧阴离子含量.外源H2O2 通过下调OsNRAMP5 的表达水平,降低水稻对Cd的吸收,根和地上部中Cd离子含量均显著下降.此外,H2O2 处理促进水稻根表铁膜的形成,吸附较多的Cd离子在根表,抑制了Cd从根表向根内的转移.在根内,H2O2 处理上调了果胶的合成和果胶甲酯酶基因表达水平,促进了细胞壁中Cd的区隔化,降低了细胞质中Cd含量,从而减轻Cd的细胞毒性.[结论]外源添加适宜水平的H2O2 可降低O2-造成的氧化损伤,同时下调OsNRAMP5 的表达水平,减少水稻对Cd的吸收.外源H2O2 还可促进水稻根表形成铁膜,抑制Cd2+从根表向根内的转移,促进细胞壁中Cd的区隔化,干扰细胞质中Cd的移动,从而减轻Cd的细胞毒性,提高水稻抗Cd胁迫能力.但外源高水平H2O2 缓解水稻Cd胁迫的效果大幅减弱,这可能与其抑制根表铁膜的形成有关.