基于垂直狭缝结构的环境温度无关氮化硅微环滤波芯片

国家学术搜索

首页|基于垂直狭缝结构的环境温度无关氮化硅微环滤波芯片

基于垂直狭缝结构的环境温度无关氮化硅微环滤波芯片

扫码查看

原文链接

NSTL
万方数据

中文摘要：本发明提供了一种基于垂直狭缝结构的环境温度无关氮化硅微环滤波芯片，包括镀在硅衬底上的缓冲层及芯层，其特征在于，芯层为由两个氮化硅微环中间夹着一个二氧化硅微环组成的垂直狭缝型的微环谐振腔，氮化硅微环波导及二氧化硅微环波导均由环形波导和直波导组成；芯层由涂敷在缓冲层上的负热光系数外包层包裹。本发明的特别之处在于它的垂直狭缝结构，与此同时结合负热光系数外包层，可实现滤波的温度无关特性。

申请号：

CN201910521721.X

公开号：

CN110261958A

专利类型：

发明专利

申请日：

2019-06-17

公开日：

2019-09-20

IPC分类：

G02B6/12(2006.01)

申请人：

上海理工大学

发明人：

冯吉军、刘晓腾、曾和平、张福领

主申请人地址：

200093 上海市杨浦区军工路516号

国别省市代码：

中国(CN)