五种钨系高熵合金及其制备方法

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中文摘要：本发明公开了一种钨系高熵合金及其制备方法，属于高熵合金和钨合金材料领域，尤其是热核聚变堆中面向等离子体的第一壁材料领域，目的在于解决现有含钨高熵合金在常温下的塑性较差，且几乎都含有高中子活化系数元素如Nb、Mo，这极不利于未来在国际热核聚变堆中的应用的问题。该钨系高熵合金为W?V?Ti、W?V?Ta、W?Ti?Ta、W?Ti?V?Ta、W?Ti?V?Ta?Re系合金中的一种或多种。测试表明，本申请的五个钨高熵合金体系，其典型合金都形成了单一的体心立方结构，部分合金具备优异的抗压缩性能。同时，本申请有效避免了现有含钨高熵合金几乎都含有高中子活化系数元素的问题，其中包含的元素具有较低的中子活化系数，有利于未来应用于国际热核聚变堆中，具有较高的应用价值。

申请号：

CN202010149661.6

公开号：

CN111254339A

专利类型：

发明专利

申请日：

2020-03-06

公开日：

2020-06-09

IPC分类：

C22C30/00(2006.01)

申请人：

中国工程物理研究院材料研究所

发明人：

俞鑫山、法涛、张佳佳、石洁、黄火根、黄河、蒙大桥、徐海燕

主申请人地址：

621000 四川省绵阳市江油市华丰新村9号

国别省市代码：

中国(CN)