一种半夏块茎的试管培养方法

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中文摘要：本发明公开了一种半夏块茎的试管培养方法，包括以下步骤：对半夏的幼嫩的叶和茎进行消毒和培养，培养基MS+BA 1.0mg/L+NAA0.1～0.25mg/L在无光照条件下进行培养，可诱导半夏的茎、叶形成带顶芽的小块茎丛。小块茎移栽一个月内长出单叶、三出复叶、正分化成三出复叶的单叶三种不同的叶形，块茎明显增大，并相应处于不规则块状、圆球形、椭圆形三种成形阶段。本发明是对保护野生半夏资源，降低栽培成本，实现人工集约化栽培，适应不断增长的市场需求的一种可行性尝试。

申请号：

CN201610010342.0

公开号：

CN105660392A

专利类型：

发明专利

申请日：

2016-01-08

公开日：

2016-06-15

IPC分类：

A01H4/00(2006.01)I

申请人：

云南中医学院

发明人：

杨跃文、钱子刚、刘小莉、李国栋

主申请人地址：

650500 云南省昆明市呈贡新区雨花路1076号云南中医学院

国别省市代码：

中国(CN)