本发明公开一种辐照半导体深能级瞬态谱的定量模拟方法及系统，属于半导体辐照技术领域，方法包括获取半导体及其辐照缺陷的性质参数；基于缺陷性质参数，确定退火模拟中缺陷类型和缺陷间反应路径；以半导体性质参数和辐照导致的PKA能谱作为输入条件，使用MC方法模拟获得初始点缺陷的空间分布；以初始点缺陷的空间分布作为初始条件，以缺陷性质参数和缺陷间的反应路径作为输入，使用OKMC方法模拟获取退火后存活缺陷的类型及其浓度；以存活缺陷的性质参数及其浓度作为输入，求解基于SRH理论的缺陷速率方程，并代入DLTS输出信号的理论公式，获得定量模拟的DLTS。本发明可定量地模拟辐照半导体的DLTS，并给出不同DLTS峰对应的微观缺陷类型及其具体占比。
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