一种减少铝衬垫表面缺陷的方法

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中文摘要：本发明公开了一种减少铝衬垫表面缺陷的方法，将铝衬垫分为两层来分别沉积，第一层铝沉积在低温下用增大靶材直流电功率的方法生长薄的一层铝层，第二层铝沉积在高温下生长。较低的反应温度使得第一铝层的晶粒较小，表面平整，表面介质层也得到了有效的控制，在后续的金属线图形形成过程中容易被蚀刻掉；同时，在低温生长铝层时加大了靶材直流电功率，溅射出来的铝离子具有较大的动能，从而实现了很好的钝化层台阶覆盖能力，在高温环境下生长第二铝层时，由于有了冷却缓冲时间，晶圆表面温度会下降，而且下层第一铝层介质表面平整，从而容易释放应力，减少了须状缺陷。

申请号：

CN201310054748

公开号：

CN103165483B

专利类型：

发明专利

申请日：

2013-02-20

公开日：

2015-08-19

IPC分类：

H01L21/60(2006.01)I

申请人：

上海华力微电子有限公司

发明人：

赵万金、胡彬彬、倪棋梁、龙吟、陈宏璘、刘睿

主申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

国别省市代码：

中国(CN)