基于低温制备的Ag<sub>2</sub>S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件

扫码查看

原文链接

NSTL
万方数据

中文摘要：一种基于低温制备的Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件。它是在具有金属银表面的ITO玻璃或柔性ITO基底材料上原位、0℃～60℃反应制得Ag2S片状纳米晶薄膜，在纯氩气环境中与P3HT复合，然后在其表面蒸镀一层Au作为正极的光电转换器件。做法是在清洁的ITO表面溅射一层200～300nm厚度的银薄膜，令其在0℃～60℃条件下和单质硫在DMF中反应，得到一层Ag2S纳米晶薄膜，经无水乙醇洗涤，40℃真空干燥，在通有纯氩气的手套箱中，将浓度为10mg/mL的P3HT氯仿溶液旋涂到Ag2S纳米晶薄膜上形成异质结，在氮气保护下40～60℃干燥2小时以上，最后在薄膜表面蒸镀单质金作为电池正极而成。该薄膜光电转换器件的Voc＝0.24V，Jsc＝11.19mA/cm2，η＝1.23％，FF＝44.84％，电池性能稳定，放置190天未检测到电池效率的衰减。

申请号：

CN201110337703.X

公开号：

CN102509769A

专利类型：

发明专利

申请日：

2011-10-28

公开日：

2012-06-20

IPC分类：

H01L51/42(2006.01)I

申请人：

许昌学院

发明人：

张艳鸽、李艳巧、郑直、贾会敏、雷岩、翟学珍、法文君、李大鹏

主申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号

国别省市代码：

中国(CN)