金纳米双锥在OLED器件中的应用

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中文摘要：本发明公开了金纳米双锥在提高OLED器件的发光性能中的应用。本发明还涉及了金纳米双锥杂化的OLED器件以及该器件的制备方法。本方法通过利用金纳米双锥的表面等离激元共振效应，大大加快了电子的受激和辐射跃迁过程，通过调节金纳米双锥的纵横比，使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠，达到最大程度地增强OLED器件性能的目的，且金纳米双锥尖端能产生更强的电磁场，与原始器件相比，金纳米双锥杂化的器件亮度和流明效率是原始器件亮度和流明效率的2.22倍和1.95倍，有效提高了OLED器件的性能。

申请号：

CN201811243760.X

公开号：

CN109545991A

专利类型：

发明专利

申请日：

2018-10-24

公开日：

2019-03-29

IPC分类：

H01L51/50(20060101)

申请人：

东北石油大学

发明人：

王欢、赵阳、张彪、陈曦

主申请人地址：

163000 黑龙江省大庆市高新技术产业开发区学府街99号

国别省市代码：

中国(CN)