一种竖立二硫化钼纳米片的制备方法

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中文摘要：本发明属于纳米材料制备领域，尤其涉及一种竖立二硫化钼纳米片的制备方法。本发明提供了一种竖立二硫化钼纳米片的制备方法，所述制备方法为：涂有MoO3粉末的衬底与空白的衬底相对排列后水平放置，惰性气体氛围中，程序性升温至650℃～800℃，恒温加热，硫单质与气态MoO3反应，在所述空白的衬底上淀积，得二硫化钼纳米片。本发明提供的技术方案中，惰性气氛下程序性升温，可使得硫单质与钼源充分接触反应，有足够的反应时间生成MoS2；同时，涂有MoO3粉末的衬底与空白的衬底可多层叠放，实现量产。本发明提供的一种竖立二硫化钼纳米片的制备方法，解决了现有技术中，竖立MoS2纳米片的制备工艺存在着：工艺复杂、难以实现量产以及制备成本高昂的技术缺陷。

申请号：

CN201810631835.5

公开号：

CN108408782A

专利类型：

发明专利

申请日：

2018-06-19

公开日：

2018-08-17

IPC分类：

C01G39/06(2006.01)I

申请人：

广东工业大学

发明人：

肖志明、李瑜煜、郭宗亮、魏爱香、刘俊、招瑜

主申请人地址：

510060 广东省广州市越秀区东风东路729号

国别省市代码：

中国(CN)