NSTL
阻变随机访问存储器件及制造方法
刘力锋 1孙兵 刘晓彦 康晋锋 高滨 韩汝琦 陈沅沙
作者信息
摘要
本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。该阻变随机访问存储器件可以减小在芯片上的占用面积并提供大的驱动电流，从而提高了存储密度。
申请号
CN201010207339公开号
CN102280465B专利类型
发明专利申请日
2010-06-13公开日
2013-05-29IPC分类
H01L27/24申请人
北京大学发明人
刘力锋/孙兵/刘晓彦/康晋锋/高滨/韩汝琦/陈沅沙主申请人地址
100871 北京市海淀区颐和园路5号国别省市代码
中国(CN)