一种缩小存储节点的非易失性存储装置及其制造方法

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一种缩小存储节点的非易失性存储装置及其制造方法

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NSTL

中文摘要：本发明提供一种非易失性电阻存储器件，包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的阻变氧化物层，其特征在于底电极与阻变氧化物层连接的一端呈锥形，且锥形端部嵌入到阻变氧化物层中。本发明还提供一种非易失性电阻存储器件的制造方法。

申请号：

CN201110334664

公开号：

CN103094471A

专利类型：

发明专利

申请日：

2011-10-28

公开日：

2013-05-08

IPC分类：

H01L45/00(2006.01)I

申请人：

中国科学院物理研究所

发明人：

赵宏武、毛奇、张培健、孟洋、刘紫玉、孟庆宇

主申请人地址：

100190北京市海淀区中关村南三街8号

国别省市代码：

中国(CN)