一种铜纳米结构的制备方法

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中文摘要：本发明公开了一种铜纳米结构的制备方法，选取基底，利用真空热蒸镀法在基底上蒸镀作为阳极的第一薄膜、以及作为阴极的第二薄膜；其中，第一薄膜和第二薄膜间隔设置，且材质均为金/银；在具有第一薄膜和第二薄膜的基底上蒸镀快离子导体薄膜；其中，快离子导体薄膜中含有铜，且快离子导体薄膜为连通的整体膜，整体膜同时覆盖于第一薄膜和第二薄膜上；为阳极和阴极通电，达到预定时间后，在阴极上得到铜纳米结构；本发明采用固态离子学法，采用RbCu4Cl3I2快离子导体薄膜，并利用不同于快离子导体薄膜的金属(金、银)作为电极，在全固态环境下完成了铜纳米结构的制备。

申请号：

CN202110415899.3

公开号：

CN113122811A

专利类型：

发明专利

申请日：

2021-04-19

公开日：

2021-07-16

IPC分类：

C23C14/26(2006.01)

申请人：

西安工业大学

发明人：

张一帆、陈建、徐大鹏

主申请人地址：

710000 陕西省西安市未央区学府中路2号

国别省市代码：

中国(CN)