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一种紫外区半反半透膜及其制备方法

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本发明公开了一种紫外区半反半透膜，由无定型结构的硫化镍晶体组成，所述硫化镍晶体呈条状结构，且相互缠结；半反半透膜的厚度为200～800nm，硫与镍的元素比例为37.93：32.86。本发明还提供了上述半反半透膜的制备方法，与传统的多层溅射方法相比，这种一步水热法生长极大的简化了工艺步骤，减少了能耗以及可控性较强。

CN201711122923.4

CN108133967B

发明专利

2017-11-14

2020-01-24

H01L31/0216(2014.01)

吉林大学

张丹彤、崔小强

130012 吉林省长春市前进大街2699号

中国(CN)