摘要
本发明涉及微加工领域，其公开了一种旋磁铁氧体材料基片的平整化方法，包括如下步骤：清洗旋磁铁氧体基片；基片放入；腔室抽真空；基片加热；基片表面清洁；制备Si0<sub>2</sub>薄膜；基片降至室温后取出。本发明的有益效果是：采用绝缘性能高、表面能级密度低、导热性好、热膨胀系数小的绝缘材料SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MgO，先旋磁铁氧体基片上溅射一层绝缘薄膜，再在旋磁铁氧体基片上制备高可靠性、高稳定性的旋磁铁氧体薄膜微波电路。
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