一种P型掺杂ZnS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub>纳米材料及其制备方法

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中文摘要：本发明公开了一种P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH3、PH3中的一种或几种。本发明采用化学气相沉积法，利用气-液-固生长机制合成P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料，通过调节原料ZnSe与ZnS的比例，可以得到不同组分的ZnSxSe1-x纳米材料；通过调节掺杂量，可以调节制备得到的纳米材料的电导率，从而实现了P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料的成分可控、电导率可调的特点。

申请号：

CN201210077076

公开号：

CN102602984B

专利类型：

发明专利

申请日：

2012-03-22

公开日：

2013-07-31

IPC分类：

C01G9/08(2006.01)I

申请人：

合肥工业大学

发明人：

王莉、罗林宝、李强、胡继刚、朱志峰、卢敏、张彦、揭建胜、赵兴志、王祥安

主申请人地址：

230009 安徽省合肥市屯溪路193号

国别省市代码：

中国(CN)