一种ITO薄膜的制备方法

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中文摘要：本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括：将ITO纳米晶直接分散在极性有机溶剂中形成ITO纳米晶分散液，再将所述ITO纳米晶分散液于基底表面成膜，之后烘干，并以水清洗，而后再次烘干，最后在150℃～300℃下退火1h以上，形成所述ITO薄膜。本发明采用特殊的ITO纳米晶制取工艺，并通过在旋涂成膜过程中加入了水洗这一步骤，有效地提高了ITO薄膜的电导，特别是在低温处理下获得了具有高电导率的ITO薄膜。本发明制备ITO薄膜的方法无需真空、高温等苛刻条件，简单易行，适用于低温下的应用。

申请号：

CN201410768358.9

公开号：

CN105776882B

专利类型：

发明专利

申请日：

2014-12-15

公开日：

2018-07-03

IPC分类：

C03C17/23(20060101)

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人：

周腾、陈征、崔铮

主申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

国别省市代码：

中国(CN)