一种测定光刻胶光密度的方法

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中文摘要：本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种测定光刻胶光密度的方法，包括以下步骤：以紫外石英片一侧表面的Q点为旋涂中心点，将光刻胶旋涂在紫外石英片的表面上，经干燥形成膜层区域，选取所述膜层区域的第一区域，第一区域以旋涂中心点为中心点，第一区域与所述紫外石英片的长度比为15:45；将紫外石英片置于石英片卡板的卡槽中，石英片卡板上的等分刻线将第一区域等分为多个区域，测试多个区域的膜层厚度并获取平均值，即为第一区域的膜层厚度；再将紫外石英片固定于紫外分光光度计样品池中的支架中，用紫外分光光度计进行光谱测定，获取测定的各波长处的吸光度，根据公式计算光密度。该方法操作简单，结果准确，实验重复性好。

申请号：

CN202311171417.X

公开号：

CN117191731A

专利类型：

发明专利

申请日：

2023-09-11

公开日：

2023-12-08

IPC分类：

G01N21/33(2006.01)

申请人：

上海彤程电子材料有限公司;北京科华微电子材料有限公司

发明人：

房彩琴、孙嘉、李冰、鲁代仁、欧永英、王淑芬、王文芳、董栋、张宁

主申请人地址：

201507 上海市奉贤区化学工业区目华路201号1幢20层05室

国别省市代码：

中国(CN)