NSTL
万方数据
蚀刻液及其应用
胡秋雨 1段林侃 2袁明军 3李治文
作者信息
- 1. 光华科学技术研究院（广东）有限公司
- 2. 广东光华科技股份有限公司
- 3. 广东东硕科技有限公司
- 折叠
摘要
本发明涉及一种蚀刻液及其应用，该蚀刻液包括水、氯化物、无机酸、有机酸和氧化剂；氯化物选自氯化钠、氯化钾、氯化铜、氯化铵和氯化氢中的至少一种；无机酸选自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一种；有机酸选自亚氨基二乙酸、甲酸、乙酸、丁酸、柠檬酸、异柠檬酸、草酸和丙二酸中的至少一种；氧化剂选自双氧水、过硫酸钠、过硫酸铵、过硫酸钾、硝酸铈铵、硝酸铈钠、硝酸铈钾、次氯酸钠和次氯酸钾中的至少一种；氯化物：无机酸：氧化剂的摩尔比为(55～70)：(30～50)：1。该蚀刻液能快速蚀刻镍、铬或镍铬合金，对铜的蚀刻作用小，满足目前柔性印制电路板和集成电路中制作精细线路的制程要求，且安全可靠。
申请号
CN202110483901.0公开号
CN113265660A专利类型
发明专利申请日
2021-04-30公开日
2021-08-17IPC分类
C23F1/28(2006.01)申请人
光华科学技术研究院（广东）有限公司;广东光华科技股份有限公司;广东东硕科技有限公司发明人
胡秋雨/段林侃/袁明军/李治文主申请人地址
511400 广东省广州市番禺区石楼镇创启路63号创启7号楼国别省市代码
中国(CN)