栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法

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栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法

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NSTL

中文摘要：一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在n型GaN层上面没有台面的另一侧上；一p型GaN层，该p型GaN层制作在多量子阱有源层上；一P电极，该p电极制作在p型GaN层上面远离台面的一侧；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的台面上；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在p型GaN层上面没有P电极的另一侧；一栅电极，该电极制作在栅极绝缘层上。

申请号：

CN201010534622

公开号：

CN102064260B

专利类型：

发明专利

申请日：

2010-11-03

公开日：

2012-08-15

IPC分类：

H01L33/36(2010.01)I

申请人：

中国科学院半导体研究所

发明人：

刘志强、汪炼成、伊晓燕、李晋闽、郭恩卿、王国宏

主申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

国别省市代码：

中国(CN)