一种反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料的制备方法

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中文摘要：本发明涉及一种反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：(1)混料：分别将重量百分比为80～90％的碳化硼、5～18％的碳粉、1～5％的烧结助剂作为原料放入球磨罐中球磨；(2)成型：将步骤(1)中所得混合料置于模具中，经干压成型获得碳化硼陶瓷素坯；(3)反应烧结：将步骤(2)中所得碳化硼陶瓷素坯放入反应烧结炉中，真空高温烧结浸渗熔融金属硅片，获得反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料。本发明的方法采用的原料及配比科学合理，生产方法安全、成本低，所制成的碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料能够满足核工业乏废料的热中子屏蔽性能要求。

申请号：

CN201510256908

公开号：

CN104817325A

专利类型：

发明专利

申请日：

2015-05-19

公开日：

2015-08-05

IPC分类：

C04B35/563(2006.01)I

申请人：

中国兵器工业第五二研究所烟台分所

发明人：

曲俊峰、高晓菊、满蓬、周雅伟、李康、张丛、谢威、赵斌、林广庆、曹剑武、杨双燕、李国斌、乔光利、燕东明、常永威

主申请人地址：

264000 山东省烟台市莱山区迎宾路2号附1号

国别省市代码：

中国(CN)