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一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法
王冠宇 1周春宇 郭得峰 徐超 姜巍 谭金波
作者信息
摘要
本发明公开了一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在SOI结构两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延双轴应变Si1?xGex基区和Si帽层；利用自对准工艺在所述有源区进行刻蚀，并选择性外延Si1?yGey层；在器件表面淀积氮化物和氧化层，在氧化层上淀积多晶硅作为发射极；刻蚀氮化物，进而选择性外延多晶SiGe作为非本征基区；分别刻蚀发射极、非本征基区和集电区以形成发射极、基极和集电极接触。本发明能够提高器件的高频特性，由于采用了SOI结构，提高了集电结的击穿电压，进而提高器件的功率特性，可实现混合高压高速器件的集成。
申请号
CN201810437234.0公开号
CN108649067A专利类型
发明专利申请日
2018-05-09公开日
2018-10-12IPC分类
H01L29/737(20060101)申请人
燕山大学发明人
王冠宇/周春宇/郭得峰/徐超/姜巍/谭金波主申请人地址
066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号国别省市代码
中国(CN)