半导体光电2004，Vol.25Issue(2) ：98-100,114.DOI:10.3969/j.issn.1001-5868.2004.02.005

基于AlAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器

InGaAs/GaAs VCSEL Fabricated by Selective Oxidation

赵路民 晏长岭 孙艳芳 金珍花 王青 秦莉 刘云 宁永强 王立军
半导体光电2004，Vol.25Issue(2) ：98-100,114.DOI:10.3969/j.issn.1001-5868.2004.02.005
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基于AlAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器

InGaAs/GaAs VCSEL Fabricated by Selective Oxidation

赵路民 1晏长岭 2孙艳芳 3金珍花 3王青 3秦莉 3刘云 3宁永强 3王立军3
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作者信息

  • 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130026
  • 2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
  • 3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021
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摘要

结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器,实现了器件的室温脉冲激射.

关键词

垂直腔面发射激光器/选择性氧化/分子束外延

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基金项目

吉林省资助项目(20020604)

国家自然科学基金(10104016)

出版年

2004
半导体光电
中国电子科技集团公司第四十四研究所

半导体光电

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.362
ISSN：1001-5868
参考文献量2
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