首页|基于DBR增强的850 nm GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器

基于DBR增强的850 nm GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器

扫码查看
原文链接
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
高速850 nm GaAs/AlGaAs面入射型单行载流子光电探测器(PD)是短距离光链路中的重要器件,面临着带宽和响应度之间的相互矛盾.报道了 一种基于分布布拉格反射器(DBR)增强的GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器(UTC-PD).DBR由20个周期的高/低Al组分的AlxGa1-x As三元合金组成,可以在830～870 nm范围内形成大于0.9的反射.在AlGaAs DBR的增强下,将GaAs吸收层所需的厚度降低到1 040 nm,兼顾PD对光的吸收率和光生载流子的渡越时间.采用双台面、聚合物平面化、共面波导电极结构制作了 UTC-PD器件.该器件在850 nm波长、-2 V偏压下具有19.26 GHz的-3dB带宽和0.492 6 A/W的响应度.
DBR-Enhanced 850 nm GaAs/AlGaAs Uni-Traveling-Carrier Photodiode
GaAs/AlGaAs surface-illuminated uni-traveling carrier(UTC)photodiodes(PDs)are critical devices for short-range optical links.However,a conflict exists between bandwidth and responsiveness.We report a GaAs/AlGaAs UTC-PD enhanced by a distributed Bragg reflector(DBR)that consists of 20 cycles of high/low Al component AlxGa1-x As and has a reflectance＞0.9 in the wavelength range of 830～870 nm.The thickness of the GaAs absorption layer is reduced to 1 040 nm,which compromises the light absorption of the PD and transit time of photogenerated electrons.The UTC-PD device is fabricated with a double-mesas structure,polymer planarization,and a coplanar waveguide electrode.The device has a-3 dB bandwidth of 19.26 GHz,a responsivity of 0.492 6 A/W at a wavelength of 850 nm,and a bias of-2 V.

GaAsAlGaAsphotodiodeUTCDBR850 nm wavelength

王健、窦志鹏、李光昊、黄晓峰、于千、郝智彪、熊兵、孙长征、韩彦军、汪莱、李洪涛、甘霖、罗毅

展开 >

清华大学北京国家信息科学与技术研究中心,北京 100084

重庆光电技术研究所,重庆 400060

GaAs AlGaAs 光电探测器 单行载流子 分布布拉格反射器 850 nm波长

国家重点研发计划项目国家自然科学基金项目国家自然科学基金项目国家自然科学基金项目国家自然科学基金项目国家自然科学基金项目国家自然科学基金项目国家自然科学基金项目华为-清华大学信息光电子与光学合作项目

2022YFB28030006223500562127814622254056197509361927811619914436197408020212001822

2024

10.16818/j.issn1001-5868.2023102402

半导体光电
中国电子科技集团公司第四十四研究所

半导体光电

CSTPCD北大核心
影响因子：0.362
ISSN：1001-5868
年,卷(期)：2024.45(1)
  • 8