红外探测器芯片高可靠性键合工艺研究
High-reliability Bonding Process of Infrared Detector Chip
李峻光 1王霄 2乔俊 2李鹏2
作者信息
- 1. 沈阳化工大学信息工程学院,沈阳 110142;中国科学院沈阳自动化研究所,沈阳 110169;中国科学院光电信息处理重点实验室,沈阳 110169
- 2. 中国科学院沈阳自动化研究所,沈阳 110169;中国科学院光电信息处理重点实验室,沈阳 110169
- 折叠
摘要
金丝键合工艺广泛应用于红外探测器的封装环节.实验选用25 μm金丝,基于正交试验法,根据键合拉力值确定键合的最佳工艺参数.通过优化超声压力、超声功率、超声时间及接触力等工艺参数组合,改善了键合引线的电气连接性能和连接强度,从而提高芯片系统的信号传输质量.提出的引线键合工艺参数组合适用于红外探测芯片的键合.
Abstract
Gold-wire bonding is widely used in the packaging of infrared detectors.In this study,a 25 μm gold wire was selected to determine the best process parameters for bonding with respect to the tensile value of bonding strength based on the orthogonal experimental method.The combination of the ultrasonic process parameters of pressure,power,and time,with contact force was optimized,to improve electrical connection performance and connection strength of the bonded leads,thereby enhancing the signal transmission quality of the chip system.The combination of the wire bonding process parameters proposed in this study is applicable to the bonding of infrared detection chips.
关键词
金丝键合/红外探测器/超声功率/接触力Key words
gold wire bonding/infrared detector/ultrasonic power/contact force引用本文复制引用
基金项目
中国科学院重点实验室基金项目(E2290403G1)
出版年
2024
NETL
NSTL
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