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BCB介质层同轴TSV的热力学仿真分析

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穿透硅通孔(through silicon via,TSV)的热机械可靠性问题已经成为制约TSV市场化应用的重要因素.本文对BCB介质层同轴TSV的热力学特性进行了研究分析,同时对其几何参数(SiO2绝缘层厚度、屏蔽环厚度、TSV间距、中心信号线半径)进行了变参分析,为降低热应力提供指导意见.结果表明,在阻抗匹配的前提下,通过增加SiO2绝缘层厚度、减小屏蔽环厚度能够有效降低同轴TSV的诱导热应力;相比之下中心信号线半径和TSV间距的变化对其影响可忽略不计.
Thermodynamics Simulation and Analysis of Coaxial TSV with BCB Dielectric Layer

丁英涛、吴兆虎、杨宝焱、杨恒张

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北京理工大学信息与电子学院,北京100081

同轴TSV BCB介质层 热应力 有限元分析

国家自然科学基金资助项目国家自然科学基金资助项目

6207401561774015

2021

10.15918/j.tbit 1001-0645.2019.195

北京理工大学学报
北京理工大学

北京理工大学学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.609
ISSN：1001-0645
年,卷(期)：2021.41(1)
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