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混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究

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为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1～45 GHz频率范围内,具有良好的射频传输性能.
Study on High Frequency Characterizations of Coaxially Shielded TSV with Mixed Dielectric Layer

丁英涛、王一丁、肖磊、王启宁、陈志伟

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北京理工大学信息与电子学院,北京 100081

T/R组件 硅通孔 类同轴 混合介质层

国家自然科学基金资助项目国家自然科学基金资助项目

6207401561774015

2021

10.15918/j.tbit1001-0645.2018.279

北京理工大学学报
北京理工大学

北京理工大学学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.609
ISSN：1001-0645
年,卷(期)：2021.41(10)
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