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一种抗单粒子瞬态加固的压控延迟线设计

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延迟锁相环中的压控延迟线是对单粒子事件(single event,SE)最敏感的子电路之一,其主要包括偏置电路和压控延时单元.利用双指数电流拟合3-D TCAD混合仿真中的单粒子瞬态(single-event transient,SET)电流,分析了压控延迟线对SE的敏感性.根据响应程度和电路结构的不同,对偏置电路进行了冗余加固;同时,对压控延时单元中提出了SET响应检测电路.在输入信号频率为1 GHz,电源电压1.2V,入射粒子LET值为80 MeV·cm2/mg的条件下,Spice仿真表明:和未加固电路相比,偏置电压Vbn和Vbp在受到粒子轰击后,翻转幅度分别下降了75％和60％,消除了输出时钟信号中的丢失脉冲;设计出的检测电路能够将各种情况下有可能出现的SET响应指示出来,提高了输出时钟信号的可靠性.
Radiation-Hardened by Design Techniques to Mitigate Single-Event Transients in Voltage-Controlled Delay Line

史柱、王斌、赵雁鹏、杨博、卢红利、高利军、刘文平

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西安微电子技术研究所,陕西,西安710065

单粒子瞬态 延迟锁相环 压控延迟线 辐射加固

国家科技重大专项

41424010203

2021

10.15918/j.tbit1001-0645.2100.153

北京理工大学学报
北京理工大学

北京理工大学学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.609
ISSN：1001-0645
年,卷(期)：2021.41(12)
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