首页|气相沉积技术制备氧化锰薄膜及其组分调控的研究进展

气相沉积技术制备氧化锰薄膜及其组分调控的研究进展

Progress in Preparation of Manganese Oxide Films by Vapor Deposition and Component Regulation

扫码查看
本文介绍了利用气相沉积技术,包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积等技术制备氧化锰薄膜以及组分调控的研究现状,重点介绍了等离子体辅助化学气相沉积/原子层沉积氧化锰薄膜的研究进展,对所使用的锰前驱体做了总结,并展望了氧化锰薄膜的发展趋势.
In this paper, we introduce the preparation of manganese oxide films by vapor depositionmethod and component regulation, including physical vapor deposition, chemical vapor deposition and atomic layer deposition. In particular, the technique of plasma enhanced chemical vapor deposition/atomic layer deposition is summarized. And the prospect and the development of the manganese oxide film are given.

manganese oxide filmsphysical vapor depositionchemical vapor depositionatomic layer deposition

任家轩、方弘历、杨斗豪、刘博文、王正铎、刘忠伟

展开 >

北京印刷学院等离子体物理与材料研究室,北京 102600

氧化锰薄膜 物理气相沉积 化学气相沉积 原子层沉积

中国国家自然科学基金云南省刑事科学技术重点实验室开放课题北京印刷学院项目

12075032YJKF00221090123007

2024

北京印刷学院学报
北京印刷学院

北京印刷学院学报

影响因子:0.247
ISSN:1004-8626
年,卷(期):2024.32(3)
  • 38