摘要
针对压力不均会导致压接式IGBT模块不同区域的接触电阻和接触热阻不同,进而导致芯片局部温度过高和使用寿命降低等问题,本论文采用有限元方法建立压接式IGBT组件在接触条件下的有限元模型,对比分析实际结构与理想条件的接触压强,并提出改进方案.结果表明:原始方案的中心区域芯片接触压强可达44.96 MPa,是理想条件接触压强的1.98倍,压力分布不均问题可以从均匀化轴向载荷和增加散热器四周刚度两个方向解决;加工散热器拱度的改进方案可以降低中心区域芯片的接触压强,但四周的芯片总是承受较大的轴向载荷;增加散热器厚度的改进方案可使四周的芯片保持接触,但会增加散热器的重量与热阻;增加支撑环的改进方案可使芯片接触压强降低44％,达到与理想条件接近的受力状态.利用接触压强的仿真分析方法可为压接式IGBT组件结构优化设计提供依据.
基金项目
湖南文理学院科学研究重点项目(22ZD02)
湖南文理学院科技创新团队项目(校办通[2020]26号)
常德市企业科技特派员资助项目(常财企[2021]0058)
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