TA1钛合金阳极氧化膜复合FeOOH后的光电及半导体特性研究

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中文摘要：为了在提高钛合金表面性能的同时,又可赋予其多彩的外观或实现消光等目的,利用直流脉冲稳压电源在不同氧化电压下制备钛合金阳极氧化膜.采用化学浴沉积法在钛合金阳极氧化膜层表面沉积适量羟基氧化铁(FeOOH)颗粒,研究FeOOH对钛合金阳极氧化膜层光学及半导体性能的影响.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、EDS、电化学工作站分析测试了氧化膜及复合FeOOH后膜层的形貌、物相、元素组成、光电流密度、电化学阻抗和Mott-Schottky曲线.结果表明:在电压为40 V时,钛合金阳极氧化膜具有优异的光学及半导体性能.在40 V电压下生长的阳极氧化膜表面复合FeOOH可显著提高其光电流密度,使其电荷转移电阻明显减小,迁移速度变得更快,光学性能得到明显改善.

外文标题：Study on Photoelectric and Semiconductor Characteristics of Anodic Oxide Film with FeOOH on TA1 Titanium Alloy

外文关键词：

titanium anodizingphotoelectric propertiessemiconductor characteristicsFeOOHlight anode

作者：

胡继月、来龙杰、汪瑞、王立鹏、刘琪

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作者单位：

安徽工程大学材料科学与工程学院, 安徽芜湖 241000

关键词：

钛合金阳极氧化光电性能半导体特性羟基氧化铁光阳极

基金：

安徽省自然科学基金面上项目安徽省高等学校杰出青年基金

项目编号：

2008085ME1322022AH020064

出版年：

2024

DOI：

10.16577/j.issn.1001-1560.2024.0010

材料保护

武汉材料保护研究所,中国腐蚀与防护学会中国表面工程协会

材料保护

CSTPCD

影响因子：1.129

ISSN：1001-1560

年,卷(期)：2024.57(1)

参考文献量10