材料保护2024,Vol.57Issue(1) :65-72,110.DOI:10.16577/j.issn.1001-1560.2024.0010

TA1钛合金阳极氧化膜复合FeOOH后的光电及半导体特性研究

Study on Photoelectric and Semiconductor Characteristics of Anodic Oxide Film with FeOOH on TA1 Titanium Alloy

胡继月 来龙杰 汪瑞 王立鹏 刘琪
材料保护2024,Vol.57Issue(1) :65-72,110.DOI:10.16577/j.issn.1001-1560.2024.0010

TA1钛合金阳极氧化膜复合FeOOH后的光电及半导体特性研究

Study on Photoelectric and Semiconductor Characteristics of Anodic Oxide Film with FeOOH on TA1 Titanium Alloy

胡继月 1来龙杰 1汪瑞 1王立鹏 1刘琪1
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作者信息

  • 1. 安徽工程大学材料科学与工程学院, 安徽 芜湖 241000
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摘要

为了在提高钛合金表面性能的同时,又可赋予其多彩的外观或实现消光等目的,利用直流脉冲稳压电源在不同氧化电压下制备钛合金阳极氧化膜.采用化学浴沉积法在钛合金阳极氧化膜层表面沉积适量羟基氧化铁(FeOOH)颗粒,研究FeOOH对钛合金阳极氧化膜层光学及半导体性能的影响.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、EDS、电化学工作站分析测试了氧化膜及复合FeOOH后膜层的形貌、物相、元素组成、光电流密度、电化学阻抗和Mott-Schottky曲线.结果表明:在电压为40 V时,钛合金阳极氧化膜具有优异的光学及半导体性能.在40 V电压下生长的阳极氧化膜表面复合FeOOH可显著提高其光电流密度,使其电荷转移电阻明显减小,迁移速度变得更快,光学性能得到明显改善.

关键词

钛合金阳极氧化/光电性能/半导体特性/羟基氧化铁/光阳极

Key words

titanium anodizing/photoelectric properties/semiconductor characteristics/FeOOH/light anode

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基金项目

安徽省自然科学基金面上项目(2008085ME132)

安徽省高等学校杰出青年基金(2022AH020064)

出版年

2024
材料保护
武汉材料保护研究所,中国腐蚀与防护学会 中国表面工程协会

材料保护

CSTPCDCSCD
影响因子:1.129
ISSN:1001-1560
参考文献量10
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