材料科学与工程学报2024，Vol.42Issue(1) ：9-13.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2024.01.002

碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响

Effect of 4H-SiC Wafer Processing on Surface Quality

张序清 刘晓双 张玺 朱如忠 高煜 吴琛 王蓉 杨德仁 皮孝东
材料科学与工程学报2024，Vol.42Issue(1) ：9-13.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2024.01.002
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碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响

Effect of 4H-SiC Wafer Processing on Surface Quality

张序清 1刘晓双 2张玺 1朱如忠 1高煜 3吴琛 4王蓉 1杨德仁 1皮孝东1
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作者信息

  • 1. 浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室/材料科学与工程学院,浙江杭州 310027;浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院/浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,浙江杭州 311200
  • 2. 浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室/材料科学与工程学院,浙江杭州 310027;浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院/浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,浙江杭州 311200;浙江大学物理学院,浙江杭州 310027
  • 3. 浙江机电职业技术学院,浙江杭州 310053
  • 4. 浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室/材料科学与工程学院,浙江杭州 310027
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摘要

碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能.本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量.4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差.

关键词

碳化硅/晶片加工/表面质量/各向异性

Key words

4H-SiC/Wafer processing/Surface quality/Anisotropy

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基金项目

浙江省"尖兵""领雁"研发攻关计划资助项目(2022C01021)

国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200101)

国家自然科学基金重大研究计划资助项目(91964107)

出版年

2024
材料科学与工程学报
浙江大学

材料科学与工程学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.765
ISSN：1673-2812
参考文献量20
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