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碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响

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碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能.本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量.4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差.
Effect of 4H-SiC Wafer Processing on Surface Quality

4H-SiCWafer processingSurface qualityAnisotropy

张序清、刘晓双、张玺、朱如忠、高煜、吴琛、王蓉、杨德仁、皮孝东

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浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室/材料科学与工程学院,浙江杭州 310027

浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院/浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,浙江杭州 311200

浙江大学物理学院,浙江杭州 310027

浙江机电职业技术学院,浙江杭州 310053

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碳化硅 晶片加工 表面质量 各向异性

浙江省"尖兵""领雁"研发攻关计划资助项目国家重点研发计划资助项目国家自然科学基金重大研究计划资助项目

2022C010212018YFB220010191964107

2024

10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2024.01.002

材料科学与工程学报
浙江大学

材料科学与工程学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.765
ISSN：1673-2812
年,卷(期)：2024.42(1)
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