氮化铝晶体生长技术的研究进展

汪应军¹

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1. 湖北晶星科技股份有限公司
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摘要

作为第三代半导体材料的典型代表，氮化铝(AlN)是一种人工合成的Ⅲ-V族共价键化合物，也一种重要的宽带隙(6.2eV)半导体材料。具有高抗辐射能力、直接带隙、禁带宽度宽、高热导率、化学和热稳定性好等优异性能，可广泛应用于光电子领域和微电子领域，是一种优良的高温保温材料，对环境无污染，且原料来源丰富。物理气相传输法(PVT)是制备AlN体单晶最有效的途径之一，高品质的AlN晶体也已成功应用于紫外LED的研制。

关键词

氮化铝/晶体生长/研究/进展

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出版年

2016

城市建设理论研究(电子版)

影响因子：0.228

ISSN：

参考文献量4

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