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含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究

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[目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂,但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题.[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂,研究了采用它时的TSV填充模式,退火后孔内镀层的结晶状态,以及镀层的杂质含量.[结果]该抑制剂对TSV的填充效果明显优于传统抑制剂,与小分子含硫化合物加速剂复配使用时可实现"自下而上"的均匀填充,且面铜平整,无微孔、气泡等缺陷存在.[结论]该复合有机抑制剂具有很好的工业化应用潜力.
Study on application of a propylene glycol-containing organic composite inhibitor in copper electroplating of through-silicon via

through-silicon viacopper electroplatingpropylene glycolorganic inhibitorbottom-up filling

史筱超、于仙仙、王溯

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上海市集成电路关键工艺材料重点实验室,上海 201616

上海新阳半导体材料股份有限公司,上海 201616

硅通孔 电镀铜 丙二醇 有机抑制剂 自下而上填充

2024

10.19289/j.1004-227x.2024.01.006

电镀与涂饰
广州市二轻工业科学技术研究所

电镀与涂饰

CSTPCD北大核心
影响因子：0.47
ISSN：1004-227X
年,卷(期)：2024.43(1)
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