电镀与涂饰2024，Vol.43Issue(1) ：43-49.DOI:10.19289/j.1004-227x.2024.01.006

含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究

Study on application of a propylene glycol-containing organic composite inhibitor in copper electroplating of through-silicon via

史筱超 于仙仙 王溯
电镀与涂饰2024，Vol.43Issue(1) ：43-49.DOI:10.19289/j.1004-227x.2024.01.006
✕
  • NETL
  • NSTL
  • 维普
  • 万方数据

含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究

Study on application of a propylene glycol-containing organic composite inhibitor in copper electroplating of through-silicon via

史筱超 1于仙仙 1王溯1
扫码查看

作者信息

  • 1. 上海市集成电路关键工艺材料重点实验室,上海 201616;上海新阳半导体材料股份有限公司,上海 201616
  • 折叠

摘要

[目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂,但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题.[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂,研究了采用它时的TSV填充模式,退火后孔内镀层的结晶状态,以及镀层的杂质含量.[结果]该抑制剂对TSV的填充效果明显优于传统抑制剂,与小分子含硫化合物加速剂复配使用时可实现"自下而上"的均匀填充,且面铜平整,无微孔、气泡等缺陷存在.[结论]该复合有机抑制剂具有很好的工业化应用潜力.

关键词

硅通孔/电镀铜/丙二醇/有机抑制剂/自下而上填充

Key words

through-silicon via/copper electroplating/propylene glycol/organic inhibitor/bottom-up filling

引用本文复制引用

出版年

2024
电镀与涂饰
广州市二轻工业科学技术研究所

电镀与涂饰

CSTPCD北大核心
影响因子：0.47
ISSN：1004-227X
参考文献量2
段落导航相关论文