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650V eGaN HEMT短路特性研究

Analysis of short-circuit characteristics of eGaN HEMT

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增强型GaN HEMT(eGaN HEMT)可以大幅提升变换器的效率和功率密度,具有广泛的应用前景.但实际应用中由桥臂串扰引起的误导通,以及负载侧短路等都会导致eGaN HEMT流过较大的电流.因此,为了确保eGaN HEMT在过载、短路等工况下安全可靠工作,必须深入探究eGaN HEMT的短路工作原理以及电路参数对其短路特性的影响.本文首先建立了硬开关模式下的短路测试平台对eGaN HEMT的短路过程进行了研究,并利用eGaN HEMT热网络模型,分析了其短路过程中结温变化情况,进一步地探究了不同结温对其短路特性的影响.在此基础上对不同电路参数对eGaN HEMT短路特性的影响进行研究和对比,揭示了影响eGaN HEMT短路特性关键因素,为eGaN HEMT短路保护设计提供了一定的指导.

张英、秦海鸿、彭子和、修强、荀倩

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多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室,南京航空航天大学,江苏 南京211106

查尔姆斯理工大学,瑞典 哥德堡999034

增强型GaNHEMT 短路特性 短路保护 温度依赖性

国家自然科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金项目中央高校基本科研业务费专项资金项目江苏省研究生科研与实践创新计划项目

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2020

电工电能新技术
中国科学院电工研究所

电工电能新技术

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.716
ISSN：1003-3076
年,卷(期)：2020.39(2)
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